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參數(shù)資料
| 型號： | HGTG40N60A4 |
| 廠商： | INTERSIL CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 600V, SMPS Series N-Channel IGBTs(600V, SMPS系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管) |
| 中文描述： | 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247 |
| 文件頁數(shù)： | 6/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 93K |
| 代理商： | HGTG40N60A4 |
4-6
FIGURE 15. TOTAL SWITCHING LOSS vs CASE
TEMPERATURE
FIGURE 16. TOTAL SWITCHING LOSS vs GATE RESISTANCE
FIGURE 17. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
FIGURE18. COLLECTORTOEMITTERON-STATEVOLTAGEvs
GATE TO EMITTER VOLTAGE
FIGURE 19. NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
0
1
2
50
75
100
T
C
, CASE TEMPERATURE (
o
C)
3
5
125
25
150
6
4
E
T
,
I
CE
= 80A
I
CE
= 20A
T
J
= 125
o
C, L = 200
μ
H, V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
TOTAL
= E
ON2
+ E
OFF
I
CE
= 40A
0.1
10
100
R
G
, GATE RESISTANCE (
)
1
10
1
500
E
T
,
I
CE
= 80A
I
CE
= 40A
I
CE
= 20A
100
T
J
= 125
o
C, L = 200
μ
H
V
CE
= 390V, V
GE
= 15V
E
TOTAL
= E
ON2
+ E
OFF
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
C
0
10
20
30
40
50
0
2
4
8
10
12
6
60
70
80
90
100
FREQUENCY = 1MHz
14
C
IES
C
RES
C
OES
V
GE
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
8
9
1.9
10
12
2.0
2.2
2.1
11
13
14
15
16
2.3
2.4
V
C
,
I
CE
= 80A
DUTY CYCLE < 0.5%, V
GE
= 15V
PULSE DURATION = 250
μ
s, T
J
= 25
o
C
I
CE
= 40A
I
CE
= 20A
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
0.10
t
1
t
2
P
D
SINGLE PULSE
0.50
0.20
0.05
0.02
0.01
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
HGTG40N60A4
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HGTG40N60B3 | 70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT(70A, 600V，N溝道絕緣柵雙極晶體管) |
| HI-1567CDI | 5V MONOLITHIC DUAL TRANSCEIVERS |
| HI-1567CDIM | 5V MONOLITHIC DUAL TRANSCEIVERS |
| HI-1567CDIT | 5V MONOLITHIC DUAL TRANSCEIVERS |
| HI-1567PCI | 5V MONOLITHIC DUAL TRANSCEIVERS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HGTG40N60A4 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT N TO-247 |
| HGTG40N60B3 | 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
| HGTG40N60B3 | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:IGBT IC |
| HGTG40N60B3_NL | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
| HGTG40N60B3_Q | 功能描述:IGBT 晶體管 600V N-Channel IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
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