參數(shù)資料
型號(hào)： HGTG30N60A4
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 600V, SMPS Series N-Channel IGBT(600V, SMPS系列 N溝道IGBT)
中文描述： 75 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-247
文件頁數(shù)： 6/8頁
文件大?。?/td> 92K
代理商： HGTG30N60A4
6
FIGURE 17. CAPACITANCE vs COLLECTOR TO EMITTER
VOLTAGE
FIGURE 18. COLLECTOR TO EMITTER ON-STATE VOLTAGE
vs GATE TO EMITTER VOLTAGE
FIGURE 19. IGBT NORMALIZED TRANSIENT THERMAL RESPONSE, JUNCTION TO CASE
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 20. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 21. SWITCHING TEST WAVEFORMS
Typical Performance Curves
Unless Otherwise Specified
(Continued)
V
CE
, COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
C
C
RES
0
5
10
15
20
25
0
2
6
8
10
4
FREQUENCY = 1MHz
C
OES
C
IES
V
GE
, GATE TO EMITTER VOLTAGE (V)
9
1.7
12
1.8
2.0
1.9
11
13
14
15
16
2.1
2.3
V
C
,
I
CE
= 60A
DUTY CYCLE < 0.5%, V
GE
= 15V
PULSE DURATION = 250
μ
s, T
J
= 25
o
C
I
CE
= 30A
I
CE
= 15A
2.2
10
t
1
, RECTANGULAR PULSE DURATION (s)
Z
θ
J
,
10
-2
10
-1
10
0
10
-5
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
-4
0.10
t
1
t
2
P
D
DUTY FACTOR, D = t
1
/ t
2
PEAK T
J
= (P
D
X Z
θ
JC
X R
θ
JC
) + T
C
SINGLE PULSE
0.50
0.20
0.05
0.02
0.01
R
G
= 3
L = 200
μ
H
V
DD
= 390V
+
-
HGTP30N60A4D
DIODE TA49373
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON2
HGTG30N60A4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HGTG30N60A4 600V, SMPS Series N-Channel IGBT
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