參數(shù)資料
型號(hào)： HGT1S7N60C3DS
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： 14A, 600V, UFS Series N-Channel IGBTs(14A, 600V, UFS系列N溝道絕緣柵雙極型晶體管)
中文描述： 14 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB
文件頁(yè)數(shù)： 6/9頁(yè)
文件大小： 216K
代理商： HGT1S7N60C3DS
6
FIGURE 18. DIODE FORWARD CURRENT vs FORWARD
VOLTAGE DROP
FIGURE 19. RECOVERY TIMES vs FORWARD CURRENT
Typical Performance Curves
(Continued)
25
o
C
175
o
C
100
o
C
0.5
1.0
1.5
2.5
3.0
I
E
,
V
EC
, FORWARD VOLTAGE (V)
0
2.0
1.0
0.5
10
30
t
b
t
a
t
rr
30
20
10
0
t
r
,
I
EC
, FORWARD CURRENT (A)
T
C
= 25
o
C, dI
EC
/dt = 200A/
μ
s
0.5
7
1
3
25
15
5
Test Circuit and Waveforms
FIGURE 20. INDUCTIVE SWITCHING TEST CIRCUIT
FIGURE 21. SWITCHING TEST WAVEFORMS
R
G
= 50
L = 1mH
V
DD
= 480V
+
-
RHRD660
t
fI
t
d(OFF)I
t
rI
t
d(ON)I
10%
90%
10%
90%
V
CE
I
CE
V
GE
E
OFF
E
ON
HGTP7N60C3D, HGT1S7N60C3DS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HH-597 180?Hybrid Space Qualified
HH128 Flatpack Hybrid Junction 202000 MHz
HHBA-5121A 66 MHz, 64-bit PCI-to-Fibre Channel Host Adapter(66 MHz, 64位 PCI至光通道主機(jī)適配器)
HHN300 RECTIFIER DIODES STUD AND FLAT BASE TYPES
HHN320 RECTIFIER DIODES STUD AND FLAT BASE TYPES
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HGT1S7N60C3DS9A 功能描述:IGBT 晶體管 14a 600V N-Ch IGBT UFS Series RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGT1Y40N60B3D 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:70A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diodes
HGT1Y40N60C3D 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 40A I(C) | TO-264
HGT4E20N60A4DS 功能描述:IGBT 晶體管 TO-268 RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube
HGT4E30N60B3DS 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:60A, 600V, UFS Series N-Channel IGBT
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