型號: | HGT1S14N36G3VLS |
廠商: | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | DIODE ZENER SINGLE 500mW 39Vz 3.2mA-Izt 0.05 0.1uA-Ir 32Vr DO35-GLASS 5K/AMMO |
中文描述: | 18 A, N-CHANNEL IGBT, TO-263AB |
封裝: | LEAD FREE, TO-263AB, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 5/8頁 |
文件大?。?/td> | 224K |
代理商: | HGT1S14N36G3VLS |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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HGTP14N37G3VL | TRANSISTOR PNP BIPOLAR 45V SOT23 |
HGT1S14N37G3VLS9A | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 380V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB |
HGT1S14N37G3VLS | TRANS PNP BIPOLAR 45V SOT323 |
HGTP14N40F3VL | 72 MACROCELL 5 VOLT ISP CPLD - NOT RECOMMENDED for NEW DESIGN |
HGTP14N40F3VL | 14A, 400V N-Channel, Logic Level Voltage Clamping IGBT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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HGT1S14N36G3VLS9A | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 390V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB |
HGT1S14N36G3VLT | 功能描述:IGBT 晶體管 14a 380V Logic Level RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
HGT1S14N36G3VLT_NL | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述: |
HGT1S14N37G3VLS | 功能描述:IGBT 晶體管 14A 370V RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 配置: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:650 V 集電極—射極飽和電壓:2.3 V 柵極/發(fā)射極最大電壓:20 V 在25 C的連續(xù)集電極電流:150 A 柵極—射極漏泄電流:400 nA 功率耗散:187 W 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:TO-247 封裝:Tube |
HGT1S14N37G3VLS9A | 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 380V V(BR)CES | 18A I(C) | TO-263AB |