參數(shù)資料
型號(hào)： HFA3135IHZ96
廠商： INTERSIL CORP
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Ultra High Frequency Matched Pair Transistors
中文描述： 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, PNP, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-6
文件頁數(shù)： 4/5頁
文件大?。?/td> 184K
代理商： HFA3135IHZ96
4
FN4445.2
August 12, 2005
DYNAMIC CHARACTERISTICS FOR HFA3135 (PNP)
Noise Figure
NF
f = 900MHz, I
C
= -10mA,
-1V
≤
V
CE
≤
-5V, Z
S
= 50
B
-
5.2
-
dB
f = 900MHz, I
C
= -1mA,
-1V
≤
V
CE
≤
-5V, Z
S
= 50
B
-
4.6
-
dB
Current Gain-Bandwidth Product
f
T
I
C
= -10mA, V
CE
= -5V
B
-
7
-
GHz
Power Gain-Bandwidth Product
f
MAX
I
C
= -10mA, V
CE
= -5V
B
-
TBD
-
GHz
Base to Emitter Capacitance
V
BE
= 0.5V
B
-
550
-
fF
Collector to Base Capacitance
V
CB
= -3V
B
-
400
-
fF
NOTES:
3. Test Level: A. Production Tested; B. Typical or Guaranteed Limit Based on Characterization; C. Design Typical for Information Only.
4. Measuring V
EBO
can degrade the transistor h
FE
and h
FE
match.
5. See Typical Performance Curves for more information.
Electrical Specifications
T
A
= 25°C
(Continued)
PARAMETER
SYMBOL
TEST CONDITIONS
(NOTE 3)
TEST
LEVEL
MIN
TYP
MAX
UNITS
Typical Performance Curves
T
A
= 25°C, Unless Otherwise Specified
FIGURE 1. NPN COLLECTOR CURRENT vs COLLECTOR TO
EMITTER VOLTAGE
FIGURE 2. NPN COLLECTOR AND BASE CURRENTS vs
BASE TO EMITTER VOLTAGE
C
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
20
18
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
5.0
4.5
Q
1
Q
2
Q
1
Q
2
Q
1
Q
2
Q
1
Q
2
Q
1
Q
2
I
B
= 200
μ
A
I
B
= 160
μ
A
I
B
= 120
μ
A
I
B
= 80
μ
A
I
B
= 40
μ
A
C
BASE TO EMITTER VOLTAGE (V)
1m
100
μ
10
μ
1
μ
100n
10n
1n
100p
10p
100m
10m
1.0
0.8
0.6
0.4
I
C
I
B
Q
2
Q
1
Q
2
Q
1
0.9
0.7
0.5
HFA3134, HFA3135
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