參數(shù)資料
型號： HFA3046B
廠商： HARRIS SEMICONDUCTOR
元件分類： 功率晶體管
英文描述： Ultra High Frequency Transistor Arrays
中文描述： 5 CHANNEL, UHF BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR, MS-012-AB
封裝： MS-012AB, 14 PIN
文件頁數(shù)： 8/9頁
文件大小： 57K
代理商： HFA3046B
3-454
Die Characteristics
FIGURE 3. NPN DC CURRENT GAIN vs COLLECTOR CURRENT
FIGURE4. NPNGAINBANDWIDTHPRODUCTvsCOLLECTOR
CURRENT (UHF 3 x 50 WITH BOND PADS)
FIGURE 5. PNP COLLECTOR CURRENT vs COLLECTOR TO
EMITTER VOLTAGE
FIGURE6. PNPCOLLECTORCURRENTANDBASECURRENT
vs BASE TO EMITTER VOLTAGE
FIGURE 7. PNP DC CURRENT GAIN vs COLLECTOR
CURRENT
FIGURE8. PNPGAINBANDWIDTHPRODUCTvsCOLLECTOR
CURRENT (UHF 3 x 50 WITH BOND PADS)
Typical Performance Curves
(Continued)
COLLECTOR CURRENT (A)
V
CE
= 3V
160
140
120
D
1
μ
100
80
60
40
20
0
10
μ
100
μ
1m
10m
100m
COLLECTOR CURRENT (mA)
V
CE
= 1V
1.0
10
100
10.0
8.0
6.0
G
0.1
V
CE
= 5V
V
CE
= 3V
4.0
2.0
0
I
B
= -400
μ
A
COLLECTOR TO EMITTER VOLTAGE (V)
I
B
= -80
μ
A
-1
-2
-3
-4
-5
0
-25
-20
-15
-10
-5
C
0
I
B
= -320
μ
A
I
B
= -240
μ
A
I
B
= -160
μ
A
BASE TO EMITTER VOLTAGE (V)
I
B
V
CE
= -3V
-0.6
-0.7
-0.8
-0.9
-1.0
-100m
-10m
-1m
-100
μ
C
I
C
-0.5
-10
μ
-1
μ
-100n
-10n
-1n
A
COLLECTOR CURRENT (A)
160
140
120
D
-1
μ
100
80
60
40
20
0
-10
μ
-100
μ
-1m
-10m
-100m
V
CE
= -3V
COLLECTOR CURRENT (mA)
V
CE
= -5V
5.0
G
4.0
3.0
2.0
1.0
-0.1
-1.0
-10
-100
V
CE
= -3V
V
CE
= -1V
HFA3046, HFA3096, HFA3127, HFA3128
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PDF描述
HFA3096B Ultra High Frequency Transistor Arrays
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參數(shù)描述
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HFA3046BZ 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 W/ANNEAL TXARRAY 3X NPN + NPN DIFF PAIR RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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HFA3048B WAF 制造商:Harris Corporation 功能描述:
HFA3096 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:Ultra High Frequency Transistor Arrays
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