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參數(shù)資料
| 型號： | HFA1110IBZ |
| 廠商： | Intersil |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC BUFFER C-LOOP 750MHZ LD 8SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 98 |
| 放大器類型： | 緩沖器 |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 轉(zhuǎn)換速率： | 1300 V/µs |
| -3db帶寬： | 750MHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 10µA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 8000µV |
| 電流 - 電源： | 21mA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 60mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 9 V ~ 11 V，±4.5 V ~ 5.5 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOIC |
| 包裝： | 管件 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1234 (CN2011-ZH PDF) |
8
FN2944.8
June 6, 2006
Die Characteristics
DIE DIMENSIONS:
63 mils x 44 mils x 19 mils
1600
m x 1130m x 483m
METALLIZATION:
Type: Metal 1: AlCu(2%)/TiW
Thickness: Metal 1: 8k
±0.4k
Type: Metal 2: AlCu(2%)
Thickness: Metal 2: 16k
±0.8k
PASSIVATION:
Type: Nitride
Thickness: 4k
±0.5k
TRANSISTOR COUNT:
52
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP):
Floating (Recommend Connection to V-)
Metallization Mask Layout
HFA1110
V-
NC
OUT
IN
NC
V+
NC
HFA1110
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HFA1112IPZ | IC AMP BUFFER 850MHZ LD 8-PDIP |
| HFA1113IBZ | IC BUFFER 850MHZ 8-SOIC |
| HFA1130IBZ | IC OP AMP 850MHZ CFB 8-SOIC |
| HFA1412IP | IC BUFFER QUAD 350MHZ LP 14-DIP |
| HS18 | HEATSINK 12P PDIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HFA1110IJ | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HFA1110IP | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:850MHZ UNITY GAIN BUFFER,8 PIN PDIP - Bulk |
| HFA1110MJ/883 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HFA1112 | 制造商:INTERSIL 制造商全稱:Intersil Corporation 功能描述:850MHz, Low Distortion Programmable Gain Buffer Amplifier |
| HFA1112 WAF | 制造商:Intersil Corporation 功能描述: |
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