參數(shù)資料
型號： HF08-CS2501
廠商： Hanbit Electronics Co.,Ltd.
英文描述： FLASH-ROM MODULE 8MByte (2M x 32-Bit), 80pin-SIMM, 5V
中文描述： 閃光- ROM模塊8MByte（2米× 32位），80引腳，上海藥物研究所，5V的
文件頁數(shù)： 4/12頁
文件大?。?/td> 457K
代理商： HF08-CS2501
HANBit
HF08-CS2501
URL :
www.hbe.co.kr
4
HANBit Electronics Co. Ltd
REV_02(August,2002)
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
LIMITS
PARAMETER
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
COMMENTS
Sector Erase Time
-
1
8
sec
Excludes 00H programming
prior to erasure
Byte Programming Time
-
7
300
μ
s
Excludes system-level
overhead
Chip Programming Time
-
14.4
43.2
sec
Excludes system-level
overhead
TSOP CAPACITANCE
PARAMETER
SYMBOL
PARAMETER
DESCRIPTION
TEST SETUP
MIN
MAX
UNIT
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 0
6
7.5
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 0
8.5
12
pF
C
IN2
Control Pin Capacitance
V
IN
= 0
7.5
9
pF
Notes
: Test conditions T
A
= 25
o
C, f=1.0 MHz.
AC CHARACTERISTICS
u
Read Only Operations Characteristics
PARAMETER
SYMBOLS
JEDEC
STANDARD
DESCRIPTION
TEST SETUP
-75
-90
UNIT
t
AVAV
t
RC
Read Cycle Time
Min
70
90
ns
t
AVQV
t
ACC
Address to Output Delay
/CE = V
IL
/OE = V
IL
Max
70
90
ns
t
ELQV
t
CE
Chip Enable to Output Delay
/OE = V
IL
Max
70
90
ns
t
GLQV
t
OE
Chip Enable to Output Delay
Max
40
40
ns
t
EHQZ
t
DF
Chip Enable to Output High-Z
Max
20
20
ns
t
GHQZ
t
DF
Output Enable to Output High-Z
Max
20
20
ns
t
AXQX
t
QH
Output Hold Time From Addresses,
/CE or /OE, Whichever Occurs First
Min
0
0
ns
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