參數(shù)資料
型號： HERA806G
廠商： Taiwan Semiconductor Co., Ltd.
英文描述： CB 2C 2#12 SKT RECP WALL
中文描述： 8.0安培。玻璃鈍化高效整流二極管
文件頁數(shù)： 2/2頁
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代理商： HERA806G
- 343 -
FIG.1- REVERSE RECOVERY TIME CHARACTERISTIC AND TEST CIRCUIT DIAGRAM
50
NONINDUCTIVE
NONINDUCTIVE
NON
INDUCTIVE
OSCILLOSCOPE
(NOTE 1)
PULSE
GENERATOR
(NOTE 2)
DUT
(+)
50Vdc
(approx)
(-)
NOTES: 1. Rise Time=7ns max. Input Impedance=
1 megohm 22pf
2. Rise Time=10ns max. Sourse Impedance=
50 ohms
(-)
(+)
10
-1.0A
-0.25A
0
+0.5A
trr
1cm
SET TIME BASE FOR
5/ 10ns/ cm
RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES (HERA801G THRU HERA808G)
FIG.2- MAXIMUM FORWARD CURRENT DERATING
CURVE
A
0
50
100
150
0
4
8
12
16
20
CASE TEMPERATURE. ( C)
o
FIG.3- TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS
I
0
20
40
60
80
100
120
140
0.1
1
10
100
1000
PERCENT OF RATED PEAK REVERSE VOLTAGE. (%)
Tj=25 C
0
Tj=125 C
0
FIG.4- MAXIMUM NON-REPETITIVE FORWARD
SURGE CURRENT
P
1
2
5
10
20
100
50
60
30
120
90
150
NUMBER OF CYCLES AT 60Hz
8.3ms Single Half Sine Wave
JEDEC Method
FIG.5- TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE
C
1
5
2
10
20
50
100
200
500
30
0
60
90
120
150
REVERSE VOLTAGE. (V)
HERA801G~HERA805G
HERA806G~HERA808G
FIG.6- TYPICAL FORWARD CHARACTERISTICS
I
1.6
1.8
0.4
0.6
0.8
FORWARD VOLTAGE. (V)
1.0
1.2
1.4
0.01
0.03
0.3
1
3
10
30
100
0.1
HR81GHR84G
HERA805G
HERA806G~HERA808G
0
180
1000
Tj=75 C
0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HERA807G ER 2C 2#12 SKT RECP WALL
HERA808G 8.0 AMPS. Glass Passivated High Efficient Rectifiers
HERA802G 8.0 AMPS. Glass Passivated High Efficient Rectifiers
HERA803G 8.0 AMPS. Glass Passivated High Efficient Rectifiers
HERA804G 8.0 AMPS. Glass Passivated High Efficient Rectifiers
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參數(shù)描述
HERA806G C0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Switching 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
HERA807G 功能描述:整流器 8.0 Amp 800 Volt 150 Amp IFSM RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 產(chǎn)品:Standard Recovery Rectifiers 配置: 反向電壓:100 V 正向電壓下降: 恢復時間:1.2 us 正向連續(xù)電流:2 A 最大浪涌電流:35 A 反向電流 IR:5 uA 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-221AC 封裝:Reel
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HERA808G C0 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Diode Switching 1KV 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220AC Tube
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