參數(shù)資料
型號： HEF4016BT
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 開關
英文描述： Quadruple bilateral switches
中文描述： 四雙邊開關
封裝： HEF4016BP<SOT27-1 (DIP14)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT27-1.html<1<Always Pb-free,;HEF4016BT<SOT108-1 (SO14)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT108-1.html<1<week
文件頁數(shù)： 3/8頁
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代理商： HEF4016BT
January 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
Quadruple bilateral switches
HEF4016B
gates
RATINGS
Limiting values in accordance with the Absolute Maximum System (IEC 134)
DC CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C; V
SS
= 0 V (unless otherwise specified)
Power dissipation per switch
For other RATINGS see Family Specifications
P
max.
100
mW
PARAMETER
V
DD
V
SYMBOL
TYP.
MAX.
UNIT
CONDITIONS
5
8000
230
115
140
E
n
at V
IH
; V
is
= 0 to V
DD
; see Fig.4
ON resistance
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
R
ON
690
350
425
195
145
515
285
220
E
n
at V
IH
; V
is
= V
SS
; see Fig.4
ON resistance
R
ON
65
50
170
95
75
200
15
10
E
n
at V
IH
; V
is
= V
DD
; see Fig.4
ON resistance
R
ON
‘
’ ON resistance
between any two
channels
E
n
at V
IH
; V
is
= 0 to V
DD
; see Fig.4
R
ON
PARAMETER
V
DD
V
SYMBOL
T
amb
(
°
C)
UNIT
40
+
25
+
85
CONDITION
MIN.
MAX. MIN. MAX. MIN. MAX.
1,0
2,0
2,0
4,0
4,0
300
Quiescent
device
current
Input leakage
current at E
n
OFF-state leakage
current, any
channel OFF
E
n
input
voltage LOW
5
1,0
7,5
15,0
30,0
1000
μ
A
μ
A
μ
A
V
SS
= 0; all valid
input combinations;
V
I
= V
SS
or V
DD
10
15
I
DD
15
±
I
IN
nA
E
n
at V
SS
or V
DD
5
3,5
7,0
11,0
3,5
7,0
11,0
3,5
7,0
11,0
nA
nA
nA
V
V
V
V
V
V
E
n
at V
IL
;
V
is
= V
SS
or V
DD
;
V
os
= V
DD
or V
SS
10
15
I
OZ
200
1,5
3,0
4,0
5
1,5
3,0
4,0
1,5
3,0
4,0
switch OFF; see
Fig.9 for I
OZ
10
15
V
IL
E
n
input
voltage HIGH
5
low-impedance
between Y and Z (ON
condition)
see R
ON
switch
10
15
V
IH
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PDF描述
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