參數(shù)資料
型號： HEF40106BTT
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 通用總線功能
英文描述： Hex inverting Schmitt trigger
中文描述： 六反相施密特觸發(fā)器
封裝： HEF40106BP<SOT27-1 (DIP14)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT27-1.html<1<Always Pb-free,;HEF40106BT<SOT108-1 (SO14)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT108-1.html<1<wee
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代理商： HEF40106BTT
HEF40106B
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NXP B.V. 2011. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 6 — 23 August 2011
5 of 16
NXP Semiconductors
HEF40106B
Hex inverting Schmitt trigger
11. Dynamic characteristics
Table 7.
T
amb
= 25
C; C
L
= 50 pF; t
r
= t
f
20 ns; wave forms see
Figure 4
; test circuit see
Figure 5
; unless otherwise specified.
Symbol
Parameter
Conditions
V
DD
t
PHL
HIGH to LOW
propagation delay
10 V
15 V
t
PLH
LOW to HIGH
propagation delay
10 V
15 V
t
THL
HIGH to LOW output
transition time
10 V
15 V
t
TLH
LOW to HIGH output
transition time
HIGH
10 V
15 V
[1]
Typical value of the propagation delay and output transition time can be calculated with the extrapolation formula (C
L
in pF).
Table 8.
V
SS
= 0 V; t
r
= t
f
20 ns; T
amb
= 25
C.
Symbol
Parameter
P
D
dynamic power
dissipation
Dynamic characteristics
Extrapolation formula
[1]
63 ns + (0.55 ns/pF)C
L
29 ns + (0.23 ns/pF)C
L
22 ns + (0.16 ns/pF)C
L
58 ns + (0.55 ns/pF)C
L
29 ns + (0.23 ns/pF)C
L
22 ns + (0.16 ns/pF)C
L
10 ns + (1.00 ns/pF)C
L
9 ns + (0.42 ns/pF)C
L
6 ns + (0.28 ns/pF)C
L
10 ns + (1.00 ns/pF)C
L
9 ns + (0.42 ns/pF)C
L
6 ns + (0.28 ns/pF)C
L
Min
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Typ
90
35
30
75
35
30
60
30
20
60
30
20
Max
180
70
60
150
70
60
120
60
40
120
60
40
Unit
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
nA or nB to nY
5 V
nA or nB to nY
5 V
nY to LOW
5 V
nA or nB to
5 V
Dynamic power dissipation
V
DD
5 V
10 V
15 V
Typical formula
P
D
= 2300
f
i
+
(f
o
C
L
)
V
DD2
(
W)
P
D
= 9000
f
i
+
(f
o
C
L
)
V
DD2
(
W)
P
D
= 20000
f
i
+
(f
o
C
L
)
V
DD2
(
W)
where:
f
i
= input frequency in MHz;
f
o
= output frequency in MHz;
C
L
= output load capacitance in pF;
(f
o
C
L
) = sum of the outputs;
V
DD
= supply voltage in V.
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