參數(shù)資料
型號： HEF40106BN
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： Hex inverting Schmitt trigger
中文描述： 六反相施密特觸發(fā)器
文件頁數(shù)： 4/7頁
文件大?。?/td> 85K
代理商： HEF40106BN
January 1995
4
Philips Semiconductors
Product specification
Hex inverting Schmitt trigger
HEF40106B
gates
AC CHARACTERISTICS
V
SS
= 0 V; T
amb
= 25
°
C; C
L
= 50 pF; input transition times
≤
20 ns
V
DD
V
SYMBOL
TYP.
MAX.
TYPICAL EXTRAPOLATION
FORMULA
Propagation delays
I
n
→
O
n
HIGH to LOW
5
90
35
30
75
35
30
60
30
20
60
30
20
180
70
60
150
70
60
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
63 ns
+
(0,55 ns/pF) C
L
24 ns
+
(0,23 ns/pF)
22 ns
+
(0,16 ns/pF) C
L
48 ns
+
(0,55 ns/pF) C
L
24 ns
+
(0,23 ns/pF) C
L
22 ns
+
(0,16 ns/pF) C
L
10 ns
+
(1,0 ns/pF) C
L
9 ns
+
(0,42 ns/pF) C
L
6 ns
+
(0,28 ns/pF) C
L
10 ns
+
(1,0 ns/pF) C
L
9 ns
+
(0,42 ns/pF) C
L
6 ns
+
(0,28 ns/pF) C
L
10
15
t
PHL
5
LOW to HIGH
10
15
t
PLH
Output transition times
HIGH to LOW
5
10
15
t
THL
5
LOW to HIGH
10
15
t
TLH
V
DD
V
TYPICAL FORMULA FOR P (
μ
W)
Dynamic power
dissipation per
package (P)
5
2 300 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
9 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
20 000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
where
f
i
= input freq. (MHz)
f
o
= output freq. (MHz)
C
L
= load capacitance (pF)
∑
(f
o
C
L
) = sum of outputs
V
DD
= supply voltage (V)
10
15
相關PDF資料
PDF描述
HEC40106 gates Hex inverting Schmitt trigger
HEC40106B gates Hex inverting Schmitt trigger
HEF4014BD 8-bit static shift register
HEF4014B 8-bit static shift register
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