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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HEC4025BTD |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | Triple 3-input NOR gate |
| 中文描述： | 三3輸入或非門 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/3頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 25K |
| 代理商： | HEC4025BTD |
January 1995
3
Philips Semiconductors
Product specification
Triple 3-input NOR gate
HEF4025B
gates
AC CHARACTERISTICS
V
SS
= 0 V; T
amb
= 25
°
C; C
L
= 50 pF; input transition times
≤
20 ns
V
DD
V
SYMBOL
TYP.
MAX.
TYPICAL EXTRAPOLATION
FORMULA
Propagation delays
I
n
→
O
n
HIGH to LOW
5
70
25
20
60
25
15
60
30
20
60
30
20
135
55
40
120
50
35
120
60
40
120
60
40
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
43 ns
14 ns
12 ns
33 ns
14 ns
7 ns
10 ns
9 ns
6 ns
10 ns
9 ns
6 ns
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
+
(0,55 ns/pF) C
L
(0,23 ns/pF) C
L
(0,16 ns/pF) C
L
(0,55 ns/pF) C
L
(0,23 ns/pF) C
L
(0,16 ns/pF) C
L
(1,0 ns/pF) C
L
(0,42 ns/pF) C
L
(0,28 ns/pF) C
L
(1,0 ns/pF) C
L
(0,42 ns/pF) C
L
(0,28 ns/pF) C
L
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
t
PHL
LOW to HIGH
t
PLH
Output transition times
HIGH to LOW
t
THL
LOW to HIGH
t
TLH
V
DD
V
TYPICAL FORMULA FOR P (
μ
W)
Dynamic power
dissipation per
package (P)
5
900 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
4000 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
10 900 f
i
+ ∑
(f
o
C
L
)
×
V
DD2
where
f
i
= input freq. (MHz)
f
o
= output freq. (MHz)
C
L
= load capacitance (pF)
∑
(f
o
C
L
) = sum of outputs
V
DD
= supply voltage (V)
10
15
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HEC4025BD | Triple 3-input NOR gate |
| HEC4025BDF | Triple 3-input NOR gate |
| HEC4025BP | Triple 3-input NOR gate |
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| HEF4025BF | Triple 3-input NOR gate |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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