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參數(shù)資料
| 型號： | HE7601SG |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | GaAlAs Infrared Emitting Diode(GaAlAs紅外發(fā)射二極管) |
| 中文描述： | 發(fā)動器紅外線發(fā)光二極管（紅外發(fā)射二極管的GaAIAs） |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 20K |
| 代理商： | HE7601SG |
HE7601SG
GaAlAs Infrared Emitting Diode
Description
The HE7601SG is a 770 nm band GaAlAs infrared emitting diode with a double heterojunction structure.
It is suitable as a light source for optical control devices and sensors.
Features
High efficiency and high output power
1
Internal Circuit
Package Type
HE7601SG: SG1
2
Absolute Maximum Ratings
(T
C
= 25°C)
Item
Symbol
Rated Value
Units
Forward current
I
F
V
R
Topr
250
mA
Reverse voltage
3
V
Operating temperature
–20 to +60
°C
Storage temperature
Tstg
–40 to +90
°C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HE8404SG | GaAlAs Infrared Emitting Diode(GaAlAs紅外發(fā)射二極管) |
| HE8807FL | GaAlAs Infrared Emitting Diodes |
| HE8807SG | GaAlAs Infrared Emitting Diodes |
| HE8811 | GaAlAs Infrared Emitting Diode(GaAlAs紅外發(fā)射二極管) |
| HE8812SG | GaAlAs Infrared Emitting Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HE7601SG_06 | 制造商:OPNEXT 制造商全稱:OPNEXT 功能描述:GaAlAs Infrared Emitting Diode |
| HE761 | 制造商:BOWEI 制造商全稱:BOWEI 功能描述:VGC Amplifier |
| HE762 | 制造商:BOWEI 制造商全稱:BOWEI 功能描述:VGC Amplifier |
| HE771 | 制造商:BOWEI 制造商全稱:BOWEI 功能描述:Reverse Isolation Amplifier |
| HE772 | 制造商:BOWEI 制造商全稱:BOWEI 功能描述:Reverse Isolation Amplifier |
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