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參數(shù)資料
| 型號： | HCT802 |
| 廠商： | OPTEK TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual En hance ment Mode MOSFET |
| 中文描述： | 2000 mA, 90 V, 2 CHANNEL, N AND P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 2/2頁 |
| 文件大?。?/td> | 178K |
| 代理商： | HCT802 |
Types HCT802, HCT802TX, HCT802TXV
Elec ri cal Char ac er s ics
(T
A
= 25
o
C un ess speci ied oth er wise)
Sym bol
Pa ame ers
De vice
B=Both
B
Min
Max
Units
Test Con di ions
B
VDSS
Drain- Source Break down
90*
V
I
D
= 10
μ
A*, V
GS
= 0
V
TH
Gate Thresh old Volt age
N
0.75
2.5
V
V
GS
= V
DS
, I
D
= 1 mA
P
-2.0
-4.5
V
I
D
= -1 mA
I
GSS
Gate- Body Leak age
B
±
100
nA
V
GS
=
±
20 V, V
DS
= 0
I
DSS
Zero Gate Volt age Drain Cur ent
B
10*
μ
A
V
DS
= 90 V*, V
GS
= 0 V
Tj = 150
o
C
B
500*
μ
A
I
D(on)
On- State Drain Cur ent
N
1.5
A
V
DS
= 25 V, V
GS
= 10 V
P
-1.1
A
V
DS
= -15 V, V
GS
= -10 V
R
DS(on)
Drain- Source on Re sis ance
B
5
V
GS
= 10 V*, I
D
= 1 A*
G
fs
For ward Trans con duc ance
N
170
mmho V
DS
= 25 V, I
D
= 0.5 A
P
200
mmho V
DS
= -10 V, I
D
= -0.5 A
C
ISS
In put Ca paci ance
N
70
pf
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
P
150
pf
V
DS
= -25 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
C
OSS
Com mon Source Out put Ca paci
tance
N
40
pf
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
P
60
pf
V
DS
= -25 V, V
GS
= 0 V, f = 1 MHz
C
RSS
Re verse Trans er Ca paci ance
N
10
pf
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 A, f = 1 MHz
P
25
pf
V
DS
= -25 V, V
GS
= 0 A, f = 1 MHz
t
(on)
Turn- on- ime
N
15
ns
V
DD
= 25 V, I
D
= 1 A, R
L
= 50
P
50
ns
V
DD
= -25 V, I
D
= -0.5 A, R
L
= 50
t
(off)
Turn- off- ime
N
17
ns
V
DD
= 25 V, I
D
= 1 A, R
L
= 50
P
50
ns
V
DD
= -25 V, I
D
= -0.5 A, R
L
= 50
* Re verse po ar ty for P- Channel de vice
Op ek re serves the right to make changes at any time in or der to im prove de sign and to sup ply the best prod uct pos si ble.
Op ek Tech nol ogy, Inc. 1215 W. Crosby Road Car oll on, Texas 75006 (972)323- 2200 Fax (972)323- 2396
15- 35
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HCT802TX | Dual En hance ment Mode MOSFET |
| HCT802TXV | Dual En hance ment Mode MOSFET |
| HD-0070M3-GH | 3 dB 90∑ Card Couplers |
| HD-0313M3-FH | Hook-Up Wire; Conductor Size AWG:26; No. Strands x Strand Size:7 x 34; Jacket Color:Black; Approval Bodies:UL, CSA; Approval Categories:UL AWM Style 1061; CSA AWM; Conductor Material:Copper; Jacket Material:Polyvinylchloride (PVC) RoHS Compliant: Yes |
| HD-0053M3-IH | 3 dB 90∑ Card Couplers |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HCT802TX | 功能描述:MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| HCT802TXV | 功能描述:MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD RoHS:否 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> FET - 陣列 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:8-SOIC Mosfet Package 標準包裝:1 系列:- FET 型:2 個 N 溝道（雙） FET 特點:邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):60V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:3A 開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫歐 @ 4.6A，10V Id 時的 Vgs(th)（最大）:3V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:20nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:- 功率 - 最大:1.4W 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:PowerPAK? SO-8 供應商設備封裝:PowerPAK? SO-8 包裝:Digi-Reel® 產(chǎn)品目錄頁面:1664 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:SI7948DP-T1-GE3DKR |
| HCT810 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 25V V(BR)DSS | 10MA I(D) | LLCC |
| HCT-839-A-MH-Z-X40 | 制造商:Honeywell Sensing and Control 功能描述:HyCal Sensing Products |
| HCT90 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
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