參數(shù)資料
型號(hào)： HCT7000MTX
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： N- Channel En hance ment Mode MOS Transistor
中文描述： N溝道恩漢斯精神疾病模式的MOS晶體管
文件頁數(shù)： 2/2頁
文件大?。?/td> 241K
代理商： HCT7000MTX
Types HCT7000M, HCT7000MTX, HCT7000MTXV
Elec ri cal Char ac er s ics
(T
A
= 25
o
C un ess oth er wise noted)
Op ek re serves the right to make changes at any time in or der to im prove de sign and to sup ply the best prod uct pos si ble.
Op ek Tech nol ogy, Inc. 1215 W. Crosby Road Car oll on, Texas 75006 (972)323- 2200 Fax (972)323- 2396
15-37
SYM BOL
PA RAME TER
MIN MAX UNITS
TEST CON DI TION
V
DSS
Drain-Source Voltage
60
V
V
GS
= 0 V, I
D
= 10
μ
A
V
GS(TH)
Gate Threshold Voltage
.8
3.0
V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1 mA
I
GSS
Gate Leakage
±
10
nA
μ
A
V
DS
= 0 V, V
GS
=
±
15 V
I
DSS
Zero Gate Voltage Drain Current
1
V
GS
= 0 V, V
DS
= 48 V
I
D(ON)
On-State Drain Current
75
mA
V
DS
= 10 V, V
GS
= 4.5 V
R
DS(ON)
Drain-Source on-Resistance
5
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 A
V
DS(ON)
Drain-Source on-Voltage
2.5
V
V
GS
= 10 V, I
D
= 0.5 A
G
fs
Forward Transconductance
100
mS
V
DS
= 10 V, I
D
= 0.2 A
C
iss
Input Capacitance
60
pF
V
DS
= 25 V, V
GS
= 0 V, f = 1MHz
C
oss
Output Capacitance
25
pF
C
rss
Reverse Transfer Capacitance
5
pF
t(on)
Turn-on Time
10
ns
V
DD
= 15 V, I
D
= 0.5 A, V
gen
= 10 V, R
g
= 25
t
(off)
Turn-off Time
10
ns
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PDF描述
HCTL-1000 General Purpose Motion Control Ics(通用動(dòng)作控制芯片)
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HD01 TRIAC-600VRM-25A-TO220
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參數(shù)描述
HCT7000MTXV 功能描述:MOSFET N- Channel enhancement mode transisitor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
HCT700TX 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6 Pin SMT NPN/PNP General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
HCT700TXV 功能描述:兩極晶體管 - BJT 6 Pin SMT NPN/PNP General Purpose Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
HCT720 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PAIR | NPN | 50V V(BR)CEO | 800MA I(C) | LLCC
HCT74 制造商:TI 制造商全稱:Texas Instruments 功能描述:DUAL D-TYPE POSITIVE-EDGE-TRIGGERED FLIP-FLOPS WITH CLEAR AND PRESET
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