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參數(shù)資料
| 型號： | HCPL-J312 |
| 英文描述： | 2.0 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler(2.0 Amp 輸出電流 IGBT門驅(qū)動耦合器) |
| 中文描述： | 2.0安培輸出電流IGBT柵極驅(qū)動光電耦合器（2.0安培輸出電流IGBT的門驅(qū)動耦合器） |
| 文件頁數(shù)： | 18/24頁 |
| 文件大?。?/td> | 310K |
| 代理商： | HCPL-J312 |
18
Step 2: Check the HCPL-3120
Power Dissipation and Increase Rg
if Necessary.
The HCPL-3120 total
power dissipation (P
T
) is equal to the
sum of the emitter power (P
E
) and the
output power (P
O
):
P
T
= P
E
+ P
O
P
E
= I
F
V
F
Duty Cycle
P
O
= P
O(BIAS)
+ P
O (SWITCHING)
= I
CC
(V
CC
- V
EE
)
+ E
SW
(R
G
, Q
G
)
f
For the circuit in Figure 26 with I
F
(worst case) = 16 mA, Rg = 8
, Max
Duty Cycle = 80%, Qg = 500 nC,
f = 20 kHz and T
A
max = 85C:
P
E
=
16
mA
1.8
V
0.8
=
23
mW
P
O
=
4.25
mA
20
V
+
5.2
μ
J
20
kHz
=
85
mW +
104
mW
=
189
mW
>
178
mW (P
O(MAX)
@
85
C
=
250
mW
15
C*
4.8
mW/C)
The value of 4.25 mA for I
CC
in the
previous equation was obtained by
derating the I
CC
max of 5 mA
(which occurs at -40
°
C) to I
CC
max
at 85C (see Figure 7).
Since P
O
for this case is greater
than P
O(MAX)
, Rg must be increased
to reduce the HCPL-3120 power
dissipation.
P
O(SWITCHING MAX)
= P
O(MAX)
- P
O(BIAS)
= 178 mW - 85 mW
= 93 mW
P
O(SWITCHINGMAX)
f
E
SW(MAX)
= –––––––––––––––
93 mW
= ––––––– = 4.65
μ
W
20 kHz
For Qg = 500 nC, from Figure 27,
a value of E
SW
= 4.65
μ
W gives a
Rg = 10.3
.
P
E
Parameter
I
F
V
F
Duty Cycle
Description
LED Current
LED On Voltage
Maximum LED
Duty Cycle
P
O
Parameter
I
CC
V
CC
V
EE
E
SW
(Rg,Qg)
Description
Supply Current
Positive Supply Voltage
Negative Supply Voltage
Energy Dissipated in the HCPL-3120 for each
IGBT Switching Cycle (See Figure 27)
Switching Frequency
f
Figure 27. Energy Dissipated in the
HCPL-3120 for Each IGBT Switching
Cycle.
E
0
0
Rg – GATE RESISTANCE –
50
6
10
14
20
4
30
40
12
Qg = 100 nC
Qg = 500 nC
Qg = 1000 nC
10
8
2
V
CC
= 19 V
V
EE
= -9 V
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HCPL-3120 | 2.0 Amp Output Current IGBT Gate Drive Optocoupler(2.0 Amp 輸出電流 IGBT門驅(qū)動耦合器) |
| HCPL0201 | Receptacle With No Tail |
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| HCPL1731 | Optoelectronic |
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參數(shù)描述 |
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| HCPL-J312#500 | 功能描述:邏輯輸出光電耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 絕緣電壓:4243 Vrms 輸出類型:Push-Pull 最大傳播延遲時間:500 ns 最大正向二極管電壓: 最大反向二極管電壓: 最大正向二極管電流: 最大連續(xù)輸出電流:2.5 A 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:SO-16 封裝:Tube |
| HCPL-J312-000E | 功能描述:邏輯輸出光電耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 絕緣電壓:4243 Vrms 輸出類型:Push-Pull 最大傳播延遲時間:500 ns 最大正向二極管電壓: 最大反向二極管電壓: 最大正向二極管電流: 最大連續(xù)輸出電流:2.5 A 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:SO-16 封裝:Tube |
| HCPL-J312-300E | 功能描述:邏輯輸出光電耦合器 2.0A IGBT Gate Drive RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 絕緣電壓:4243 Vrms 輸出類型:Push-Pull 最大傳播延遲時間:500 ns 最大正向二極管電壓: 最大反向二極管電壓: 最大正向二極管電流: 最大連續(xù)輸出電流:2.5 A 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:SO-16 封裝:Tube |
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