參數(shù)資料
型號： HCC4008BF
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:500V; Continuous Drain Current, Id:4.5A; On-Resistance, Rds(on):1.5ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220; Mounting Type:Through Hole
中文描述： 4位全加器進(jìn)位輸出并聯(lián)
文件頁數(shù)： 5/13頁
文件大?。?/td> 292K
代理商： HCC4008BF
DYNAMIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25
°
C, C
L
= 50 pF, R
L
= 200 k
,
typical temperature coefficient for all V
DD
values is 0.3 %/
°
C, all input rise and fall times = 20 ns)
Value
Typ.
400
160
115
370
155
115
200
90
65
100
50
40
100
50
40
Symbol
Parameter
Test Conditions
V
DD
(V)
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
5
10
15
Min.
Max.
800
320
230
740
310
230
400
180
130
200
100
80
200
100
80
Unit
t
PLH
, t
PHL
Propagation Delay
Time
Sum In to
Sum Out
ns
Carry In to
Sum Out
Sum In to
Carry Out
Carry In to
Carry Out
t
THL
, t
TLH
Transition Time
ns
Minimum Output Low(sink) Current Charac-
teristics.
Typical Output Low (sink) Current.
HCC/HCF4008B
5/13
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PDF描述
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