參數(shù)資料
型號: HCC4006B
廠商: 意法半導體
英文描述: MOSFET-N CHAN-500V-14AMP
中文描述: 18 -階段靜態(tài)移位寄存器
文件頁數(shù): 9/11頁
文件大小: 260K
代理商: HCC4006B
SO14 MECHANICAL DATA
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
1.75
0.068
a1
0.1
0.2
0.003
0.007
a2
1.65
0.064
b
0.35
0.46
0.013
0.018
b1
0.19
0.25
0.007
0.010
C
0.5
0.019
c1
45
°
(typ.)
D
8.55
8.75
0.336
0.344
E
5.8
6.2
0.228
0.244
e
1.27
0.050
e3
7.62
0.300
F
3.8
4.0
0.149
0.157
G
4.6
5.3
0.181
0.208
L
0.5
1.27
0.019
0.050
M
0.68
0.026
S
8
°
(max.)
P013G
HCC/HCF4006B
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相關PDF資料
PDF描述
HCF4006B MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:500V; Continuous Drain Current, Id:22A; On-Resistance, Rds(on):0.29ohm
HCF4006BEY MOSFET-N-CHAN ENHANCEMENT
HCF4006BM1 18-STAGE STATIC SHIFT REGISTER
HCC4006BF MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:60V; Continuous Drain Current, Id:50A; On-Resistance, Rds(on):28mohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Package/Case:TO-220; Drain-Source Breakdown Voltage:60V
HCF4006BC1 18-STAGE STATIC SHIFT REGISTER
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