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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HC257 |
| 廠商： | System Logic Semiconductor Co., Ltd. |
| 英文描述： | Darlington Bipolar Transistor; Transistor Polarity:N Channel; Power Dissipation:0.4W; C-E Breakdown Voltage:40V; DC Current Gain Min (hfe):7000; Collector Current:0.3A; Package/Case:3-TO-92; DC Current Gain Max (hfe):70000 |
| 中文描述： | 四2輸入數(shù)據(jù)選擇器/多路與三態(tài)輸出 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 315K |
| 代理商： | HC257 |
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74VHC257
4/14
Table 6: DC Specifications
Symbol
Parameter
Test Condition
Value
Unit
V
CC
(V)
T
A
= 25°C
-40 to 85°C
-55 to 125°C
Min.
Typ.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
V
IH
High Level Input
Voltage
2.0
3.0 to
5.5
2.0
3.0 to
5.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
2.0
3.0
4.5
3.0
4.5
1.5
1.5
1.5
V
0.7V
CC
0.7V
CC
0.7V
CC
V
IL
Low Level Input
Voltage
0.5
0.5
0.5
V
0.3V
CC
0.3V
CC
0.3V
CC
V
OH
High Level Output
Voltage
I
O
=-50
μ
A
I
O
=-50
μ
A
I
O
=-50
μ
A
I
O
=-4 mA
I
O
=-8 mA
I
O
=50
μ
A
I
O
=50
μ
A
I
O
=50
μ
A
I
O
=4 mA
I
O
=8 mA
1.9
2.9
4.4
2.58
3.94
2.0
3.0
4.5
1.9
2.9
4.4
2.48
3.8
1.9
2.9
4.4
2.4
3.7
V
V
OL
Low Level Output
Voltage
0.0
0.0
0.0
0.1
0.1
0.1
0.36
0.36
0.1
0.1
0.1
0.44
0.44
0.1
0.1
0.1
0.55
0.55
V
I
OZ
High Impedance
Output Leakage
Current
Input Leakage
Current
Quiescent Supply
Current
5.5
V
I
= V
IH
or V
IL
V
O
= V
CC
or GND
±
0.25
±
2.5
±
2.5
μ
A
I
I
0 to
5.5
V
I
= 5.5V or GND
±
0.1
±
1
±
1
μ
A
I
CC
5.5
V
I
= V
CC
or GND
4
40
40
μ
A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HC711E9 | APPENDIX A ELECTRICAL CHARACTERISTICS |
| HCC4002B | NOR Gate(或非門) |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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