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參數(shù)資料
| 型號： | HBU407 |
| 廠商： | HSMC CORP. |
| 英文描述： | NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR |
| 中文描述： | 瑞展晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 1/2頁 |
| 文件大小： | 23K |
| 代理商： | HBU407 |
HI-SINCERITY
MICROELECTRONICS CORP.
HBU407
NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR
Spec. No. : HE6716
Issued Date : 1996.02.01
Revised Date : 2001.05.28
Page No. : 1/2
HBU407
HSMC Product Specification
Description
The HBU407 is designed for use in TV Horizontal output and
Switching applications.
Features
High Breakdown Voltage
Absolute Maximum Ratings
(Ta=25
°
C)
Maximum Temperatures
Storage Temperature............................................................................................ -50 ~ +150
°
C
Junction Temperature..................................................................................... 150
°
C Maximum
Maximum Power Dissipation
Total Power Dissipation (Tc=25
°
C) .................................................................................... 60 W
Maximum Voltages and Currents (Ta=25
°
C)
VCEO Collector to Emitter Voltage................................................................................... 150 V
VEBO Emitter to Base Voltage ............................................................................................. 6 V
IC Collector Current ............................................................................................................. 7 A
IB Base Current.................................................................................................................... 4 A
Characteristics
(Ta=25
°
C)
Symbol
*BVCEO
ICES
IEBO
*VCE(sat)
*VBE(sat)
*hFE1
*hFE2
*hFE3
FT
Min.
150
-
-
-
-
25
35
10
10
Typ.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Max.
-
5
1
1
1.2
-
200
-
-
Unit
V
mA
mA
V
V
Test Conditions
IC=100mA, IB=0
VCE=400V
VEB=6V, IC=0
IC=5A, IB=0.5A
IC=5A, IB=0.5A
IC=500mA, VCE=5V
IC=2A, VCE=5V
IC=5A, VCE=5V
IC=500mA, VCE=10V, f=1MHz
*Pulse Test : Pulse Width
≤
380us, Duty Cycle
≤
2%
MHz
Classification Of hFE2
Rank
Range
B
C
D
35-85
75-125
115-200
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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