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參數(shù)資料
| 型號： | HB52E649EN |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 512 MB的無緩沖SDRAM的內存（512 MB的未緩沖同步的DRAM內存） |
| 文件頁數(shù)： | 23/29頁 |
| 文件大小： | 134K |
| 代理商： | HB52E649EN |
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HB52E648EN/HB52E649EN-A6B/B6B
23
Notes: 1. AC measurement assumes t
T
= 1 ns. Reference level for timing of input signals is 1.5 V.
2. Access time is measured at 1.5 V. Load condition is C
L
= 50 pF.
3. t
LZ
(min) defines the time at which the outputs achieves the low impedance state.
4. t
HZ
(max) defines the time at which the outputs achieves the high impedance state.
5. t
CES
defines CKE setup time to CK rising edge except power down exit command.
Test Conditions
Input and output timing reference levels: 1.5 V
Input waveform and output load: See following figures
t
T
2.4 V
0.4 V0.8 V
2.0 V
input
t
T
DQ
CL
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52E649E12 | THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes |
| HB52E649E12-A6B | 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52E649E12-B6B | 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| HB52E649E12 | 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52F169E1 | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52E649EN-A6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus |
| HB52E649EN-B6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus |
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| HB52E89EM-B6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
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