- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄370430 > HB52E649E12-B6B (ELPIDA MEMORY INC) 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52E649E12-B6B |
| 廠商： | ELPIDA MEMORY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
| 中文描述： | 64M X 72 SYNCHRONOUS DRAM MODULE, 6.9 ns, DMA168 |
| 封裝： | DIMM-168 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | HB52E649E12-B6B |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)當(dāng)前第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)
HB52E649E12-A6B/B6B
Data Sheet E0020H20
9
Absolute Maximum Ratings
Parameter
Symbol
Value
Unit
Note
Voltage on any pin relative to V
SS
V
T
–
0.5 to V
+ 0.5
(
≤
4.6 (max))
V
1
Supply voltage relative to V
SS
Short circuit output current
V
CC
Iout
–
0.5 to +4.6
V
1
50
mA
Power dissipation
P
T
Topr
18.0
W
Operating temperature
0 to +55
°
C
Storage temperature
Note:
1. Respect to V
SS
Tstg
–
50 to +100
°
C
DC Operating Conditions
(Ta = 0 to +55°C)
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Notes
Supply voltage
V
CC
V
SS
V
IH
V
IL
3.0
3.6
V
1, 2
0
0
V
3
Input high voltage
2.0
V
CC
0.8
V
1, 4
Input low voltage
Notes: 1. All voltage referred to V
SS
2. The supply voltage with all V
CC
pins must be on the same level.
3. The supply voltage with all V
SS
pins must be on the same level.
4. V
IH
(max) = V
CC
+ 2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
CC
.
5. V
IL
(min) = V
SS
–
2.0 V for pulse width
≤
3 ns at V
SS
.
0
V
1, 5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52E649E12 | 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52F169E1 | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52F649E1 | 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133SDRAM |
| HB52F649E1-75B | 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 133 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC133SDRAM |
| HB52F649E1 | 512 MB Registered SDRAM DIMM(512 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52E649EN-A6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus |
| HB52E649EN-B6B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:512 MB Unbuffered SDRAM DIMM, 100 MHz Memory Bus |
| HB52E88EM-B6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52E89E1P-B6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52E89EM-B6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。