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參數(shù)資料
| 型號： | HAT1025R |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | Silicon P Channel Power MOS FET(P溝道功率MOSFET) |
| 中文描述： | 硅P通道功率MOS FET性（P溝道功率MOSFET的） |
| 文件頁數(shù)： | 8/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | HAT1025R |
HAT1025R
8
Pulse Width PW (S)
Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width (2 Drive Operation)
N
s
γ
10
μ
100
μ
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
1000
10
1
0.1
0.01
0.001
0.0001
D = 1
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
1sho puse
DM
P
PW
T
D =T
ch – f = 166
°
C/W, Ta = 25
°
C
When using the glass epoxy board
(FR4 40x40x1.6 mm)
θ
γ θ
θ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| HAT1026R-EL-E | 制造商:RENESAS 制造商全稱:Renesas Technology Corp 功能描述:Silicon P Channel Power MOSFET High Speed Power Switching |
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