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參數(shù)資料
| 型號： | HA9P5127-5ZX96 |
| 廠商： | Intersil |
| 文件頁數(shù)： | 2/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC OPAMP 8.5MHZ PRECISION 8-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 1 |
| 放大器類型： | 通用 |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 轉(zhuǎn)換速率： | 10 V/µs |
| 增益帶寬積： | 8.5MHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 15nA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 30µV |
| 電流 - 電源： | 3.5mA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 25mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 10 V ~ 30 V，±5 V ~ 15 V |
| 工作溫度： | 0°C ~ 75°C |
| 安裝類型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOIC |
| 包裝： | 標(biāo)準(zhǔn)包裝 |
| 產(chǎn)品目錄頁面： | 1234 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱： | HA9P5127-5ZX96DKR |
10
FN2906.8
November 29, 2011
Die Characteristics
DIE DIMENSIONS:
104 mils x 65 mils x 19 mils
2650
μm x 1650μm x 483μm
METALLIZATION:
Type: Al, 1% Cu
Thickness: 16k
±2k
SUBSTRATE POTENTIAL (Powered Up):
V-
PASSIVATION:
Type: Nitride (Si3N4) over Silox (SiO2, 5% Phos.)
Silox Thickness: 12k
±2k
Nitride Thickness: 3.5k
±1.5k
TRANSISTOR COUNT:
63
PROCESS:
Bipolar Dielectric Isolation
Metallization Mask Layout
HA-5127
BAL
V+
OUT
NC
V-
+IN
-IN
HA-5127, HA-5127A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TSW-115-06-G-D | CONN HEADER 30POS .100" DL GOLD |
| TSW-115-05-G-D | CONN HEADER 30POS .100" DL GOLD |
| 929838-02-31-RK | CONN HEADER .100 DUAL R/A 62POS |
| EL5111IWTZ-T7A | IC OPAMP SGL R-R 60MHZ 5TSOT |
| 929836-08-31-RK | CONN HEADER .100 DUAL STR 62POS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HA9P5137-5 WAF | 制造商:Intersil Corporation 功能描述: |
| HA9P5137B4738 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HA9P5141-5 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HA9P5142-5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HA9P5142-9 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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