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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HA9P5127-5Z |
| 廠商： | Intersil |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/12頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC OPAMP 8.5MHZ PRECISION 8-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 98 |
| 放大器類(lèi)型： | 通用 |
| 電路數(shù)： | 1 |
| 轉(zhuǎn)換速率： | 10 V/µs |
| 增益帶寬積： | 8.5MHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 15nA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 30µV |
| 電流 - 電源： | 3.5mA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 25mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | 10 V ~ 30 V，±5 V ~ 15 V |
| 工作溫度： | 0°C ~ 75°C |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 8-SOIC |
| 包裝： | 管件 |
| 產(chǎn)品目錄頁(yè)面： | 1234 (CN2011-ZH PDF) |
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FN2906.8
November 29, 2011
Die Characteristics
DIE DIMENSIONS:
104 mils x 65 mils x 19 mils
2650
μm x 1650μm x 483μm
METALLIZATION:
Type: Al, 1% Cu
Thickness: 16k
±2k
SUBSTRATE POTENTIAL (Powered Up):
V-
PASSIVATION:
Type: Nitride (Si3N4) over Silox (SiO2, 5% Phos.)
Silox Thickness: 12k
±2k
Nitride Thickness: 3.5k
±1.5k
TRANSISTOR COUNT:
63
PROCESS:
Bipolar Dielectric Isolation
Metallization Mask Layout
HA-5127
BAL
V+
OUT
NC
V-
+IN
-IN
HA-5127, HA-5127A
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HA9P5320-5Z | IC AMP SAMPLE&HOLD 2MHZ 16-SOIC |
| HC1000-0.020-02-0404 | THERMAL PAD 20MIL 4X4 GAPPAD |
| HF115AC-0.0055-AC-54 | THERM PAD TO-220 W/ADH HI-FLOW |
| HFA1100IBZ | IC OP AMP 850MHZ CFB 8-SOIC |
| HFA1110IBZ | IC BUFFER C-LOOP 750MHZ LD 8SOIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HA9P5127-5ZX96 | 功能描述:精密放大器 W/ANL OPAMP 8 5MHZ VFB PRECISION COM RoHS:否 制造商:Maxim Integrated 每芯片的通道數(shù)量: 輸入補(bǔ)償電壓:0.25 mV at +/- 5 V 輸入電壓范圍（最大值）: 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:SOIC-8 Narrow 封裝:Tube |
| HA9P5137-5 WAF | 制造商:Intersil Corporation 功能描述: |
| HA9P5137B4738 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HA9P5141-5 | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HA9P5142-5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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