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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HA9P5104-9 |
| 廠商： | Intersil |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/13頁(yè) |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC OP AMP 8MHZ QUAD LN 16-SOIC |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 48 |
| 放大器類(lèi)型： | 通用 |
| 電路數(shù)： | 4 |
| 轉(zhuǎn)換速率： | 3 V/µs |
| -3db帶寬： | 8MHz |
| 電流 - 輸入偏壓： | 130nA |
| 電壓 - 輸入偏移： | 500µV |
| 電流 - 電源： | 5mA |
| 電流 - 輸出 / 通道： | 15mA |
| 電壓 - 電源，單路/雙路(±)： | ±5 V ~ 18 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 安裝類(lèi)型： | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼： | 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 16-SOIC |
| 包裝： | 管件 |
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10
FN2925.9
Die Characteristics
DIE DIMENSIONS:
95 mils x 99 mils x 19 mils
2420
m x 2530m x 483m
METALLIZATION:
Type: Al, 1% Cu
Thickness: 16k
±2k
PASSIVATION:
Type: Nitride (Si3N4) over Silox (SiO2, 5% Phos.)
Silox Thickness: 12k
±2k
Nitride Thickness: 3.5k
±1.5k
SUBSTRATE POTENTIAL (POWERED UP):
Unbiased
TRANSISTOR COUNT:
175
PROCESS:
Bipolar Dielectric Isolation
Metallization Mask Layout
HA-5104
+IN2
V+
+IN1
-IN1
OUT1
OUT4
-IN4
-IN3
OUT3
OUT2
-IN2
+IN4
V-
+IN3
HA-5102, HA-5104
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| TA35-CFTWMJ20C0 | CIRC BREAKER/WHITE ROCKER SP 2A |
| 0034.3104.PT | FUSE 50MA 250V 5X20 T-LAG GLASS |
| TA35-CFTBLJ03C0 | CIRCUIT BRKR THERMAL .3A BLK |
| TA35-CFTBLJ08C0 | CIRCUIT BRKR THERMAL .8A BLK |
| HA5351IB | IC AMP SAMPLE-HOLD 64NS 8-SOIC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HA9P5111-5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HA9P5111-5 9 WAF | 制造商:Harris Corporation 功能描述: |
| HA9P5111-9 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HA9P5114-5 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
| HA9P5114-9 | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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