參數(shù)資料
型號(hào)： H11G1TM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 光電耦合器
英文描述： Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 4.1 to 4.3; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
中文描述： 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER
文件頁(yè)數(shù)： 2/8頁(yè)
文件大小： 138K
代理商： H11G1TM
H
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11GXM Rev. 1.0.0
www.fairchildsemi.com
2
Absolute Maximum Ratings
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be
operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended.
In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.
The absolute maximum ratings are stress ratings only.
Symbol
TOTAL DEVICE
T
STG
T
OPR
T
SOL
P
D
Parameter
Value
Units
Storage Temperature
Operating Temperature
Lead Solder Temperature (Wave Solder)
Total Device Power Dissipation @ T
-55 to +150
-40 to +100
260 for 10 sec
260
3.5
°C
°C
°C
mW
mW/°C
A
= 25°C
Derate Above 25°C
EMITTER
I
F
Forward Input Current
60
mA
V
R
Reverse Input Voltage
6.0
V
I
F
(pk)
Forward Current – Peak (1μs pulse, 300pps)
LED Power Dissipation @ T
3.0
A
P
D
A
= 25°C
Derate Above 25°C
100
1.8
mW
mW/°C
DETECTOR
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
H11G1M
H11G2M
H11G3M
LED Power Dissipation @ T
V
100
80
55
200
2.67
P
D
A
= 25°C
Derate Above 25°C
mW
mW/°C
相關(guān)PDF資料
PDF描述
H11G1TVM Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 4.2 to 4.4; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
H11G1VM Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 4.3 to 4.5; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
H11G2M Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 4.4 to 4.6; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
H11G3M Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 4.5 to 4.7; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
H11L3TM 6-PIN DIP OPTOISOLATORS LOGIC OUTPUT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
H11G1TVM 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Photodarling RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11G1VM 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:
H11G1W 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11G1X 制造商:ISOCOM 制造商全稱:ISOCOM 功能描述:HIGH VOLTAGE DARLINGTON OUTPUT OPTICALLY COUPLED ISOLATOR
H11G2 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 DIP-6 HV PHOTO DARL RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*