參數(shù)資料
型號(hào)： H11G1SM
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 光電耦合器
英文描述： Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 3.7 to 3.9; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
中文描述： 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝： SURFACE MOUNT PACKAGE-6
文件頁數(shù)： 2/8頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： H11G1SM
H
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11GXM Rev. 1.0.0
www.fairchildsemi.com
2
Absolute Maximum Ratings
Stresses exceeding the absolute maximum ratings may damage the device. The device may not function or be
operable above the recommended operating conditions and stressing the parts to these levels is not recommended.
In addition, extended exposure to stresses above the recommended operating conditions may affect device reliability.
The absolute maximum ratings are stress ratings only.
Symbol
TOTAL DEVICE
T
STG
T
OPR
T
SOL
P
D
Parameter
Value
Units
Storage Temperature
Operating Temperature
Lead Solder Temperature (Wave Solder)
Total Device Power Dissipation @ T
-55 to +150
-40 to +100
260 for 10 sec
260
3.5
°C
°C
°C
mW
mW/°C
A
= 25°C
Derate Above 25°C
EMITTER
I
F
Forward Input Current
60
mA
V
R
Reverse Input Voltage
6.0
V
I
F
(pk)
Forward Current – Peak (1μs pulse, 300pps)
LED Power Dissipation @ T
3.0
A
P
D
A
= 25°C
Derate Above 25°C
100
1.8
mW
mW/°C
DETECTOR
V
CEO
Collector-Emitter Voltage
H11G1M
H11G2M
H11G3M
LED Power Dissipation @ T
V
100
80
55
200
2.67
P
D
A
= 25°C
Derate Above 25°C
mW
mW/°C
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PDF描述
H11G1SR2M Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 3.8 to 4.0; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
H11G1SR2VM Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 3.9 to 4.1; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
H11G1SVM Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 4.0 to 4.2; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
H11G1TM Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 4.1 to 4.3; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
H11G1TVM Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 4.2 to 4.4; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
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參數(shù)描述
H11G1SR2M 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Photodarling RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11G1SR2VM 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Photodarling VDE Certified RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11G1SVM 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:6-PIN DIP, HV DARL OUTPUT, VDE, SURFACE MOUNT - Bulk
H11G1TM 制造商:FAIRCHILD 制造商全稱:Fairchild Semiconductor 功能描述:High Voltage Photodarlington Optocouplers
H11G1TVM 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Photodarling RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
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