參數(shù)資料
型號： H11G1M
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 光電耦合器
英文描述： Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 3.6 to 3.8; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
中文描述： 1 CHANNEL DARLINGTON OUTPUT OPTOCOUPLER
文件頁數(shù)： 5/8頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： H11G1M
H
2007 Fairchild Semiconductor Corporation
H11GXM Rev. 1.0.0
www.fairchildsemi.com
5
Package Dimensions
Through Hole
Surface Mount
0.4" Lead Spacing
Recommended Pad Layout for
Surface Mount Leadform
Note:
All dimensions are in inches (millimeters).
0.350 (8.89)
0.320 (8.13)
0.260 (6.60)
0.240 (6.10)
0.320 (8.13)
0.070 (1.77)
0.040 (1.02)
0.014 (0.36)
0.010 (0.25)
0.200 (5.08)
0.115 (2.93)
0.100 (2.54)
0.015 (0.38)
0.020 (0.50)
0.016 (0.41)
0.100 (2.54)
15°
0.012 (0.30)
0.350 (8.89)
0.320 (8.13)
0.260 (6.60)
0.240 (6.10)
0.390 (9.90)
0.332 (8.43)
0.070 (1.77)
0.040 (1.02)
0.014 (0.36)
0.010 (0.25)
0.320 (8.13)
0.035 (0.88)
0.006 (0.16)
0.012 (0.30)
0.008 (0.20)
0.200 (5.08)
0.115 (2.93)
0.025 (0.63)
0.020 (0.51)
0.020 (0.50)
0.016 (0.41)
0.100 [2.54]
0.350 (8.89)
0.320 (8.13)
0.260 (6.60)
0.240 (6.10)
0.070 (1.77)
0.040 (1.02)
0.014 (0.36)
0.010 (0.25)
0.200 (5.08)
0.115 (2.93)
0.020 (0.50)
0.016 (0.41)
0.100 [2.54]
0.100 (2.54)
0.015 (0.38)
0.012 (0.30)
0.008 (0.21)
0.425 (10.80)
0.400 (10.16)
0.070 (1.78)
0.060 (1.52)
0.030 (0.76)
0.100 (2.54)
0.305 (7.75)
0.425 (10.79)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
H11G1SM Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 3.7 to 3.9; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
H11G1SR2M Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 3.8 to 4.0; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
H11G1SR2VM Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 3.9 to 4.1; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
H11G1SVM Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 4.0 to 4.2; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
H11G1TM Zener Diode; Application: General; Pd (mW): 400; Vz (V): 4.1 to 4.3; Condition Iz at Vz (mA): 5; C (pF) max: -; Condition VR at C (V):   ESD (kV) min: -; Package: MHD
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
H11G1S 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11G1SD 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Optocoupler Photodarlington RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11G1SM 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Photodarling RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11G1SR2M 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Photodarling RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11G1SR2VM 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Hi Volt Photodarling VDE Certified RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*