參數(shù)資料
型號： H11C3
廠商： ISOCOM COMPONENTS LTD
元件分類： 光電耦合器
英文描述： Photo Coupled Isolator GaAs Infrared Emitting Diode & Light Activated SCR(正向峰值電壓200V的光耦合/隔離器)
中文描述： 1 CHANNEL SCR OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝： PLASTIC, DIP-6
文件頁數(shù)： 4/4頁
文件大小： 76K
代理商： H11C3
DB92010-AAS/A4
0 1 2 3 4
On state voltage V
T
( V )
Maximum Transient Thermal Impedence
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
On state current (
Α
)
O
T
On State Characteristics
N
D
)
25 50 75 100
Ambient temperature T
A
( °C )
C
s
dV/dt vs. Ambient temperature
Holding Current vs. Ambient
Temperature
H
H
μ
A
10
Normalized to
V
AK
= 50V
R
GK
=10k
T
A
= 25 °C
R
GK
=300
10k
27k
56k
1k
0.001 0.01 0.1 1 2 4 10 100
Time (seconds)
T
Off State Forward Current vs.
Ambient Temperature
Ambient temperature T
A
( °C )
0 25 50 75 100
Normalized to
V
AK
= 50V
T
A
= 25 °C
On State Current vs. Maximum
Allowable Temperature
M
10
100
90
0
1
2
4
10
20
40
100
200
400
2000
1000
4000
10000
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
Ambient temperature T
A
( °C )
1. Lead temperature measured at the
widest portion of the SCR anode lead.
2. Ambient temperature measured at
a point 1/2" from the device
.
Junction to ambient
Jio
1
2
4
10
20
40
100
200
400
1000
V
AK
= 400V
V
AK
= 50V
20
40
100
200
400
1000
4000
2000
10000
V
AK
= 200V
1. Ambient temp. half-sine wave avg
2. Ambient temp. DC current
3. Anode lead temp. half-sine wave avg
4. Anode lead temp. DC current
1.
2.
4.
3.
20
30
40
50
60
70
80
R
GK
=300
10k
27k
56k
1k
0.1
1
10
40
100
4
0.4
400
1000
J
J
Increases to forward
breakover voltage
0.01
0.02
0.04
0.1
0.2
0.4
1
2
5/12/00
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PDF描述
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H11D3M IGBT; VCES (V): 400; Ic (A): 150; VGES (V): 6; Condition ICES at VCE=400V,VGE=0V (µA): 10; Condition IGES at VGE=VGES,VCE=0V (µA): ±10; Condition VGE (th) at VCE=10V,IC=1mA (V): 1.5; Package Code: PTSP0008JB-B (TTP-8DV)
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