參數(shù)資料
型號： H11AV1V-M
廠商： FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 光電耦合器
英文描述： PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
中文描述： 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝： DIP-6
文件頁數(shù)： 3/10頁
文件大小： 536K
代理商： H11AV1V-M
6/15/05
Page 3 of 10
2005 Fairchild Semiconductor Corporation
PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11AV1-M
H11AV1A-M
H11AV2-M
H11AV2A-M
Note
* Typical values at T
A
= 25°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise specified)
INDIVIDUAL COMPONENT CHARACTERISTICS
Parameter
Test Conditions
Symbol
Min
Typ*
Max
Unit
EMITTER
Input Forward Voltage (I
F
= 10 mA)
T
A
= -55°C
= 25°C
V
F
0.8
1.18
1.5
V
T
A
0.9
1.28
1.7
T
A
= 100°C
0.7
1.05
1.4
Reverse Leakage Current
DETECTOR
(V
R
= 6.0 V)
I
R
10
μA
Collector-Emitter Breakdown Voltage
(I
C
= 1.0 mA, I
F
= 0)
BV
CEO
70
100
V
Collector-Base Breakdown Voltage
(I
C
= 100 μA, I
F
= 0)
BV
CBO
70
120
V
Emitter-Collector Breakdown Voltage
(I
E
(V
= 100 μA, I
F
= 0)
BV
ECO
7
10
V
Collector-Emitter Dark Current
CE
= 10 V, I
F
= 0)
I
CEO
I
CBO
C
CE
1
50
nA
Collector-Base Dark Current
(V
CB
= 10 V)
0.5
nA
Capacitance
(V
CE
= 0 V, f = 1 MHz)
8
pF
ISOLATION CHARACTERISTICS
Characteristic
Test Conditions
Symbol
Min
Typ*
Max
Units
Input-Output Isolation Voltage
(f = 60 Hz, t = 1 sec)
V
ISO
R
ISO
C
ISO
7500
Vac(pk)
pF
Isolation Resistance
(V
I-O
= 500 VDC)
10
11
Isolation Capacitance
(V
I-O
= 0 V, f = 1 MHz)
0.2
2
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