參數(shù)資料
型號: H11A2.3SD
廠商: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORP
元件分類: 光電耦合器
英文描述: KPT02A12-8P
中文描述: 1 CHANNEL TRANSISTOR OUTPUT OPTOCOUPLER
封裝: SURFACE MOUNT, DIP-6
文件頁數(shù): 7/15頁
文件大?。?/td> 608K
代理商: H11A2.3SD
6/15/05
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2005 Fairchild Semiconductor Corporation
GENERAL PURPOSE 6-PIN
PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
4N25
4N37
4N26
H11A1
4N27
H11A2
4N28
H11A3
4N35
H11A4
4N36
H11A5
Fig. 9 CTR vs. RBE (Saturated)
(Black Package)
Fig. 10 CTR vs. RBE (Saturated)
(White Package)
R
BE
- BASE RESISTANCE (k
)
R
BE
- BASE RESISTANCE (k
)
R
R
)
R
R
)
10
100
1000
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
CE
= 0.3 V
I
F
= 5 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 20 mA
10
100
1000
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
F
= 20 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 5 mA
V
CE
= 0.3 V
Fig. 7 CTR vs. RBE (Unsaturated)
(Black Package)
Fig. 8 CTR vs. RBE (Unsaturated)
(White Package)
R
BE
- BASE RESISTANCE (k
)
R
BE
- BASE RESISTANCE (k
)
R
R
)
R
R
)
10
100
1000
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
I
F
= 20 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 5 mA
V
CE
= 5.0 V
10
100
1000
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
1.0
V
CE
= 5.0 V
I
F
= 20 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 5 mA
0.01
0.1
1
10
0.01
0.1
1
10
100
I
F
= 5 mA
I
F
= 20 mA
I
F
= 10 mA
Fig. 12 Collector-Emitter Saturation Voltage vs Collector Current
(White Package)
V
C
I
C
- COLLECTOR CURRENT (mA)
I
F
= 2.5 mA
T
A
= 25
C
Fig. 11 Collector-Emitter Saturation Voltage vs Collector Current
(Black Package)
V
C
I
C
- COLLECTOR CURRENT (mA)
0.01
0.1
1
10
0.001
0.01
0.1
1
10
100
I
F
= 2.5 mA
T
A
= 25
C
I
F
= 20 mA
I
F
= 10 mA
I
F
= 5 mA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
H11A2.S KPT02A12-8PA71
H11A2S-M KPT05-16-8P
H11A2TV GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11A2TV-M GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
H11A4S GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS
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參數(shù)描述
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H11A2FR2M 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11A2FR2VM 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11A2FVM 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocoupler Phototransistor RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk
H11A2M 功能描述:晶體管輸出光電耦合器 Optocouplers RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 輸入類型:DC 最大集電極/發(fā)射極電壓:70 V 最大集電極/發(fā)射極飽和電壓:0.4 V 絕緣電壓:5300 Vrms 電流傳遞比:100 % to 200 % 最大正向二極管電壓:1.65 V 最大輸入二極管電流:60 mA 最大集電極電流:100 mA 最大功率耗散:100 mW 最大工作溫度:+ 110 C 最小工作溫度:- 55 C 封裝 / 箱體:DIP-4 封裝:Bulk