參數(shù)資料
型號: GSC6618
廠商: GTM CORPORATION
英文描述: N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述: N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
文件頁數(shù): 3/4頁
文件大?。?/td> 287K
代理商: GSC6618
GSC6618
Page: 3/4
ISSUED DATE :2006/01/10
REVISED DATE :
Characteristics Curve
Fig 6. Gate Threshold Voltage v.s.
Junction Temperature
Fig 5. Forward Characteristics of
Reverse Diode
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Typical Output Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Gate Voltage
Fig 4. Normalized On-Resistance
v.s. Junction Temperature
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PDF描述
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GSC70DRSD-S273 功能描述:CONN EDGECARD 140PS DIP .100 SLD RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:18 位置數(shù):36 卡厚度:0.062"(1.57mm) 行數(shù):2 間距:0.156"(3.96mm) 特點(diǎn):卡擴(kuò)展器 安裝類型:板邊緣,跨騎式安裝 端子:焊接孔眼 觸點(diǎn)材料:亞穩(wěn)態(tài) 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:30µin(0.76µm) 觸點(diǎn)類型::全波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):頂部安裝開口,浮動線軸,0.116"(2.95mm)直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚(PPS) 工作溫度:-65°C ~ 200°C 讀數(shù):單路
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