參數(shù)資料
型號： GSC4N01
廠商： GTM CORPORATION
英文描述： N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述： N溝道增強型功率MOSFET
文件頁數(shù)： 3/4頁
文件大?。?/td> 407K
代理商： GSC4N01
GSC4N01
Page: 3/4
ISSUED DATE :2006/12/19
REVISED DATE :
Characteristics Curve
Fig 5. On-Resistance
v.s. Gate-Source Voltage
Fig 6. Body Diode Characteristics
Fig 1. Typical Output Characteristics
Fig 2. Transfer Characteristics
Fig 3. On-Resistance v.s. Drain
Current and Gate Voltage
Fig 4. On-Resistance v.s.
Junction Temperature
VDS (V)
ID
(A
)
VGS (V)
ID
(A
)
ID (A)
R
D
S
(O
N
)(
)
TJ, Temperature ( : )
N
or
m
al
iz
ed
R
D
S
(O
N
)(
)
VGS (V)
R
D
S
(O
N
)(
)
VDS (V)
IS
(A
)
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PDF描述
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GSC50DRAH-S734 功能描述:CONN EDGECARD 100PS .100 R/A SLD RoHS:是 類別:連接器，互連式 >> Card Edge 系列:- 標準包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:36 位置數(shù):72 卡厚度:0.093"（2.36mm） 行數(shù):2 間距:0.156"（3.96mm） 特點:- 安裝類型:通孔，直角 端子:焊接 觸點材料:磷青銅 觸點表面涂層:金 觸點涂層厚度:10µin（0.25µm） 觸點類型：:環(huán)形波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點:- 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚（PPS） 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
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