參數(shù)資料
型號(hào): GSC4835
廠商: GTM CORPORATION
英文描述: P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
中文描述: P溝道增強(qiáng)型功率MOSFET
文件頁數(shù): 2/4頁
文件大?。?/td> 310K
代理商: GSC4835
GSC4835
Page: 2/4
ISSUED DATE :2006/04/20
REVISED DATE :
Electrical Characteristics (Tj = 25 :::: unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Drain-Source Breakdown Voltage
BVDSS
-30
-
V
VGS=0, ID=-250uA
Breakdown Voltage Temperature Coefficient
BVDSS /
Tj
-
-0.02
-
V/ :
Reference to 25 : , ID=-1mA
Gate Threshold Voltage
VGS(th)
-1.0
-
-3.0
V
VDS=VGS, ID=-250uA
Forward Transconductance
gfs
-
14
-
S
VDS=-10V, ID=-9A
Gate-Source Leakage Current
IGSS
-
±100
nA
VGS=±25V
Drain-Source Leakage Current(Tj=25 : )
-
-1
uA
VDS=-30V, VGS=0
Drain-Source Leakage Current(Tj=70 : )
IDSS
-
-25
uA
VDS=-24V, VGS=0
-
16.5
20
VGS=-10V, ID=-9A
Static Drain-Source On-Resistance2
RDS(ON)
-
30
35
m
VGS=-4.5V, ID=-6A
Total Gate Charge2
Qg
-
23
37
Gate-Source Charge
Qgs
-
4
-
Gate-Drain (“Miller”) Change
Qgd
-
16
-
nC
ID=-9A
VDS=-25V
VGS=-4.5V
Turn-on Delay Time2
Td(on)
-
13
-
Rise Time
Tr
-
10
-
Turn-off Delay Time
Td(off)
-
48
-
Fall Time
Tf
-
46
-
ns
VDS=-15V
ID=-1A
VGS=-10V
RG=3.3
RD=15
Input Capacitance
Ciss
-
1170
1870
Output Capacitance
Coss
-
415
-
Reverse Transfer Capacitance
Crss
-
340
-
pF
VGS=0V
VDS=-25V
f=1.0MHz
Gate Resistance
Rg
-
8
12
f=1.0MHz
Source-Drain Diode
Parameter
Symbol
Min.
Typ.
Max.
Unit
Test Conditions
Forward On Voltage2
VSD
-
-1.2
V
IS=-2.1A, VGS=0V
Reverse Recovery Time
Trr
-
40
-
ns
Reverse Recovery Charge
Qrr
-
30
-
nC
IS=-9A, VGS=0V
dI/dt=100A/ s
Notes: 1. Pulse width limited by Max. junction temperature.
2. Pulse width 300us, duty cycle 2%.
3. Surface mounted on 1 in2 copper pad of FR4 board, t 10sec; 125 /W when mounted on Min. copper pad.
:
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GSC4880 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GSC4N01 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GSC6618 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GSC6679 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GSC6680 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GSC4880 制造商:GTM 制造商全稱:GTM 功能描述:N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
GSC49DRAH 功能描述:CONN EDGECARD 98POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:5 位置數(shù):10 卡厚度:0.062"(1.57mm) 行數(shù):2 間距:0.100"(2.54mm) 特點(diǎn):- 安裝類型:面板安裝 端子:焊接孔眼 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:10µin(0.25µm) 觸點(diǎn)類型::全波紋管 顏色:綠 包裝:管件 法蘭特點(diǎn):側(cè)面安裝開口,無螺紋,0.125"(3.18mm)直徑 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚(PPS) 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
GSC49DRAH-S734 功能描述:CONN EDGECARD 98POS .100 R/A SLD RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:25 系列:357 卡類型:非指定 - 單邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:36 位置數(shù):36 卡厚度:0.062"(1.57mm) 行數(shù):1 間距:0.156"(3.96mm) 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:銅,鎳,錫合金 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:- 觸點(diǎn)類型::發(fā)夾式波紋管 顏色:黑 包裝:散裝 法蘭特點(diǎn):- 材料 - 絕緣體:熱塑性聚酯 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):單路
GSC49DRAI 功能描述:CONN EDGECARD 98POS R/A .100 SLD RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:10 位置數(shù):20 卡厚度:0.062"(1.57mm) 行數(shù):2 間距:0.156"(3.96mm) 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:10µin(0.25µm) 觸點(diǎn)類型::全波紋管 顏色:藍(lán) 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):- 材料 - 絕緣體:聚對(duì)苯二甲酸丁二酯(PBT) 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙
GSC49DRAI-S734 功能描述:CONN EDGECARD 98POS .100 R/A SLD RoHS:是 類別:連接器,互連式 >> Card Edge 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 卡類型:非指定 - 雙邊 類型:母頭 Number of Positions/Bay/Row:36 位置數(shù):72 卡厚度:0.093"(2.36mm) 行數(shù):2 間距:0.156"(3.96mm) 特點(diǎn):- 安裝類型:通孔,直角 端子:焊接 觸點(diǎn)材料:磷青銅 觸點(diǎn)表面涂層:金 觸點(diǎn)涂層厚度:10µin(0.25µm) 觸點(diǎn)類型::環(huán)形波紋管 顏色:綠 包裝:托盤 法蘭特點(diǎn):- 材料 - 絕緣體:聚苯硫醚(PPS) 工作溫度:-65°C ~ 125°C 讀數(shù):雙