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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | GS882V37AB-200 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 2.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | PLASTIC, BGA-119 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 15/28頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 637K |
| 代理商： | GS882V37AB-200 |
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GS882V37AB/D-250/225/200
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.02 7/2004
15/28
2002, GSI Technology
Operating Currents
Notes:
1.
2.
I
DD
and I
DDQ
apply to any combination of V
DD
and V
DDQ]
operation.
All parameters listed are worst case scenario.
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
1 uA
1 uA
ZZ and PE Input Current
I
IN1
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
4 mA, V
DDQ
= 1.6 V
I
OL
= 4 mA, V
DD
= 1.6 V
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
100 uA
SCD and ZQ Input Current
I
IN2
–
100 uA
–
1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH
V
OL
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
V
DDQ
– 0.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-250
-225
-200
Unit
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
Pipeline
I
DD
I
DDQ
290
30
300
30
265
30
275
30
240
25
250
25
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
– 0.2 V
Pipeline
I
SB
20
30
20
30
20
30
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
Pipeline
I
DD
85
90
80
85
75
80
mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS882V37AB-200I | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS882V37BB | 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM |
| GS882Z18AB | 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS882Z18AB-133 | 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
| GS882Z18AB-133I | 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS882V37BB-133I | 制造商:GSI Technology 功能描述:256KX36(9 MEG)SYNCH BURST,"+1 SERIES" SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
| GS882V37BB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 9MBIT 256KX36 2.2NS 119FBGA - Trays |
| GS882V37BB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 9MBIT 256KX36 2.2NS 119FBGA - Trays |
| GS882V37BGB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:256KX36(9 MEG)SYNCH BURST,"+1 SERIES" SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
| GS882V37BGB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:256KX36(9 MEG)SYNCH BURST,"+1 SERIES" SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
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