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參數(shù)資料
| 型號： | GS882V36BGB-250 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | LEAD FREE, FBGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 17/36頁 |
| 文件大?。?/td> | 732K |
| 代理商： | GS882V36BGB-250 |
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GS882V18/36BB/D-333/300/250/200
Rev: 1.02 3/2005
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
17/36
2004, GSI Technology
Notes:
1.
2.
I
DD
and I
DDQ
apply to any combination of V
DD3
, V
DD2
, V
DDQ3
, and V
DDQ2
operation.
All parameters listed are worst case scenario.
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-333
-300
-250
-200
Unit
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
(x32/
x36)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
250
25
270
25
230
20
250
20
200
20
220
20
170
15
190
15
mA
Flow
Through
I
DD
I
DDQ
205
15
225
15
185
15
205
15
160
15
180
15
140
15
160
15
mA
(x18)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
230
15
250
15
210
15
230
15
185
10
205
10
155
10
175
10
mA
Flow
Through
I
DD
I
DDQ
185
10
205
10
170
10
190
10
145
10
165
10
130
10
150
10
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
– 0.2 V
—
Pipeline
I
SB
40
50
40
50
40
50
40
50
mA
Flow
Through
I
SB
40
50
40
50
40
50
40
50
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
—
Pipeline
I
DD
95
100
90
95
85
90
75
80
mA
Flow
Through
I
DD
65
60
60
65
60
65
50
55
mA
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS882V36BGB-250I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| GS882V37BB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 9MBIT 256KX36 2.2NS 119FBGA - Trays |
| GS882V37BB-300I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 9MBIT 256KX36 2.2NS 119FBGA - Trays |
| GS882V37BGB-200 | 制造商:GSI Technology 功能描述:256KX36(9 MEG)SYNCH BURST,"+1 SERIES" SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays |
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