參數(shù)資料
型號(hào)： GS882V18BGD-200
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-165
文件頁(yè)數(shù)： 10/36頁(yè)
文件大?。?/td> 732K
代理商： GS882V18BGD-200
GS882V18/36BB/D-333/300/250/200
Rev: 1.02 3/2005
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
10/36
2004, GSI Technology
Byte Write Truth Table
Notes:
1.
2.
3.
4.
All byte outputs are active in read cycles regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
Byte Write Enable inputs B
A
, B
B
, B
C
, and/or B
D
may be used in any combination with BW to write single or multiple bytes.
All byte I/Os remain High-Z during all write operations regardless of the state of Byte Write Enable inputs.
Bytes “
C
” and “
D
” are only available on the x36 version.
Function
GW
BW
B
A
B
B
B
C
B
D
Notes
Read
H
H
X
X
X
X
1
Read
H
L
H
H
H
H
1
Write byte a
H
L
L
H
H
H
2, 3
Write byte b
H
L
H
L
H
H
2, 3
Write byte c
H
L
H
H
L
H
2, 3, 4
Write byte d
H
L
H
H
H
L
2, 3, 4
Write all bytes
H
L
L
L
L
L
2, 3, 4
Write all bytes
L
X
X
X
X
X
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS882V18BGD-200I 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS882V18BGD-250 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS882V18BGD-250I 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS882V18BGD-300 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS882V18BGD-300I 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
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參數(shù)描述
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GS882V36BB-150I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 9MBIT 256KX36 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays
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GS882V36BB-300 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 9MBIT 256KX36 5NS/2.5NS 119FBGA - Trays
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