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參數(shù)資料
| 型號： | GS882V18BGB-333 |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 4.5 ns, PBGA119 |
| 封裝： | LEAD FREE, FBGA-119 |
| 文件頁數(shù)： | 19/36頁 |
| 文件大小： | 732K |
| 代理商： | GS882V18BGB-333 |
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GS882V18/36BB/D-333/300/250/200
Rev: 1.02 3/2005
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
19/36
2004, GSI Technology
Pipeline Mode Timing (SCD)
Begin
Read A
Cont
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Cont
Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
Q(A)
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
Burst Read
tKL
tKC
tKH
Single Write
Single Read
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
A
B
C
Deselected with E1
E1 masks ADSP
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
ADSC initiated read
CK
ADSP
ADSC
ADV
A0–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS882V18BGB-333I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS882V18BGD-200 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS882V18BGD-200I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS882V18BGD-250 | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
| GS882V18BGD-250I | 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS882V18BGD-333 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 9MBIT 512KX18 4.5NS/2.5NS 165FBGA - Trays |
| GS882V36BB-150 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 9MBIT 256KX36 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
| GS882V36BB-150I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 9MBIT 256KX36 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays |
| GS882V36BB-200I | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays |
| GS882V36BB-300 | 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 9MBIT 256KX36 5NS/2.5NS 119FBGA - Trays |
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