參數(shù)資料
型號： GS882V18BGB-200
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA119
封裝： LEAD FREE, FBGA-119
文件頁數(shù)： 22/36頁
文件大小： 732K
代理商： GS882V18BGB-200
GS882V18/36BB/D-333/300/250/200
Rev: 1.02 3/2005
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
22/36
2004, GSI Technology
Flow Through Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Write B
Read C
Read C+1 Read C+2 Read C+3 Read C
Deselect
tHZ
tKQX
tLZ
tH
tS
tOHZ
tOE
tKQ
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
ADSC initiated read
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
A
B
C
Q(A)
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
Q(C)
E2 and E3 only sampled with ADSP and ADSC
E1 masks ADSP
Deselected with E1
E1 masks ADSP
Fixed High
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS882V18BGB-250 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS882V18BGB-250I 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS882V18BGB-300 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS882V18BGB-3005I 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS882V18BGB-333 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
GS882V18BGB-200I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 9MBIT 512KX18 6.5NS/3NS 119FBGA - Trays
GS882V18BGB-300 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 9MBIT 512KX18 5NS/2.5NS 119FBGA - Trays
GS882V18BGD-333 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V 9MBIT 512KX18 4.5NS/2.5NS 165FBGA - Trays
GS882V36BB-150 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 9MBIT 256KX36 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays
GS882V36BB-150I 制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC QUAD 1.8V 9MBIT 256KX36 7.5NS/3.8NS 119FBGA - Trays
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