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您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄385342 > GS88236BD-200 (GSI TECHNOLOGY) 512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs PDF資料下載

參數(shù)資料

型號(hào)：	GS88236BD-200
廠商：	GSI TECHNOLOGY
元件分類：	DRAM
英文描述：	512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
中文描述：	256K X 36 CACHE SRAM, 6.5 ns, PBGA165
封裝：	13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FPBGA-165
文件頁(yè)數(shù)：	19/37頁(yè)
文件大?。?/td>	751K
代理商：	GS88236BD-200

GS88218/36BB/D-333/300/250/200/150

Rev: 1.02 10/2004

Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.

19/37

2002, GSI Technology

Notes:

1.

2.

These parameters are sampled and are not 100% tested.

ZZ is an asynchronous signal. However, in order to be recognized on any given clock cycle, ZZ must meet the specified setup and hold

times as specified above.

AC Electrical Characteristics

Parameter

Symbol

-333

-300

-250

-200

-150

Unit

Min

Max

Min

Max

Min

Max

Min

Max

Min

Max

Pipeline

Clock Cycle Time

tKC

3.0

—

3.3

—

4.0

—

5.0

—

6.7

—

ns

Clock to Output Valid

tKQ

—

2.5

—

2.5

—

2.5

—

3.0

—

3.8

ns

Clock to Output Invalid

tKQX

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Clock to Output in Low-Z

tLZ

1

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Setup time

tS

1.0

—

1.0

—

1.2

—

1.4

—

1.5

—

ns

Hold time

tH

0.1

—

0.1

—

0.2

—

0.4

—

0.5

—

ns

Flow

Through

Clock Cycle Time

tKC

4.5

—

5.0

—

5.5

—

6.5

—

7.5

—

ns

Clock to Output Valid

tKQ

—

4.5

—

5.0

—

5.5

—

6.5

—

7.5

ns

Clock to Output Invalid

tKQX

2.0

—

2.0

—

2.0

—

2.0

—

2.0

—

ns

Clock to Output in Low-Z

tLZ

1

2.0

—

2.0

—

2.0

—

2.0

—

2.0

—

ns

Setup time

tS

1.3

—

1.4

—

1.5

—

1.5

—

1.5

—

ns

Hold time

tH

0.3

—

0.4

—

0.5

—

0.5

—

0.5

—

ns

Clock HIGH Time

tKH

1.0

—

1.0

—

1.3

—

1.3

—

1.5

—

ns

Clock LOW Time

tKL

1.2

—

1.2

—

1.5

—

1.5

—

1.7

—

ns

Clock to Output in

High-Z

tHZ

1

1.5

2.5

1.5

2.5

1.5

2.5

1.5

3.0

1.5

3.0

ns

G to Output Valid

tOE

—

2.5

—

2.5

—

2.5

—

3.0

—

3.8

ns

G to output in Low-Z

tOLZ

1

0

—

0

—

0

—

0

—

0

—

ns

G to output in High-Z

tOHZ

1

—

2.5

—

2.5

—

2.5

—

3.0

—

3.8

ns

ZZ setup time

tZZS

2

5

—

5

—

5

—

5

—

5

—

ns

ZZ hold time

tZZH

2

1

—

1

—

1

—

1

—

1

—

ns

ZZ recovery

tZZR

20

—

20

—

20

—

20

—

20

—

ns

相關(guān)PDF資料	PDF描述
GS88236BD-200I	512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS88236BD-250	512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS88236BD-250I	512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS88236BD-300	512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs
GS88236BD-333	512K x 18, 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAMs

相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)	參數(shù)描述
GS88236CB-200	制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays
GS88236CB-200I	制造商:GSI Technology 功能描述:256K X 36 (9 MEG) SYNCH BURST , SCD, JTAG, FLEXDRIVE - Trays
GS88236CB-200IV	制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 1.8V/2.5V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 119FPBGA - Trays
GS88236CB-250	制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 5.5NS/2.5NS 119FPBGA - Trays
GS88236CD-200	制造商:GSI Technology 功能描述:SRAM SYNC DUAL 2.5V/3.3V 9MBIT 256KX36 6.5NS/3NS 165FPBGA - Trays

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