參數(shù)資料
型號(hào)： GS881Z36AT-250
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM
中文描述： 256K X 36 ZBT SRAM, 5.5 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 16/31頁(yè)
文件大?。?/td> 508K
代理商： GS881Z36AT-250
GS881Z18/36AT-250/225/200/166/150/133
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Rev: 1.03 11/2004
16/31
2001, GSI Technology
DC Electrical Characteristics
Parameter
Input Leakage Current
(except mode pins)
Symbol
Test Conditions
Min
Max
I
IL
V
IN
= 0 to V
DD
–
1 uA
1 uA
ZZ Input Current
I
IN1
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IH
0 V
≤
V
IN
≤
V
IH
V
DD
≥
V
IN
≥
V
IL
0 V
≤
V
IN
≤
V
IL
Output Disable, V
OUT
= 0 to V
DD
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 2.375 V
I
OH
=
–
8 mA, V
DDQ
= 3.135 V
I
OL
= 8 mA
–
1 uA
–
1 uA
1 uA
100 uA
FT Input Current
I
IN2
–
100 uA
–
1 uA
1 uA
1 uA
Output Leakage Current
I
OL
V
OH2
V
OH3
V
OL
–
1 uA
1 uA
Output High Voltage
1.7 V
—
Output High Voltage
2.4 V
—
Output Low Voltage
—
0.4 V
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PDF描述
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