參數(shù)資料
型號(hào)： GS881E32BGT-150I
廠(chǎng)商： GSI TECHNOLOGY
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 256K X 32 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100
封裝： ROHS COMPLIANT, TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 20/40頁(yè)
文件大?。?/td> 609K
代理商： GS881E32BGT-150I
GS881E18B(T/D)/GS881E32B(T/D)/GS881E36B(T/D)
Rev: 1.04 3/2005
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
20/40
2002, GSI Technology
Notes:
1.
2.
I
DD
and I
DDQ
apply to any combination of V
DD3
, V
DD2
, V
DDQ3
, and V
DDQ2
operation.
All parameters listed are worst case scenario.
Operating Currents
Parameter
Test Conditions
Mode
Symbol
-333
-300
-250
-200
-150
Unit
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
0
to
70°C
–
40
to
85°C
Operating
Current
Device Selected;
All other inputs
≥
V
IH
o
r
≤
V
IL
Output
open
(x32/
x36)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
250
40
270
40
230
35
250
35
200
30
220
30
170
25
190
25
140
20
160
20
mA
Flow
Through
I
DD
I
DDQ
205
25
225
25
185
25
205
25
160
25
180
25
140
20
160
20
130
15
150
15
mA
(x18)
Pipeline
I
DD
I
DDQ
230
20
250
20
210
20
230
20
185
15
205
15
155
15
175
15
130
10
150
10
mA
Flow
Through
I
DD
I
DDQ
185
15
205
15
170
15
190
15
145
15
165
15
130
10
150
10
120
8
140
8
mA
Standby
Current
ZZ
≥
V
DD
– 0.2 V
—
Pipeline
I
SB
40
50
40
50
40
50
40
50
40
50
mA
Flow
Through
I
SB
40
50
40
50
40
50
40
50
40
50
mA
Deselect
Current
Device Deselected;
All other inputs
≥
V
IH
or
≤
V
IL
—
Pipeline
I
DD
95
100
90
95
85
90
75
80
60
65
mA
Flow
Through
I
DD
65
60
60
65
60
65
50
55
50
55
mA
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PDF描述
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