參數(shù)資料
型號(hào)： GS881E18T-11
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 36 ByteSafe 8Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 11 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁(yè)數(shù)： 21/34頁(yè)
文件大?。?/td> 487K
代理商： GS881E18T-11
Rev: 1.10 9/2000
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com
21/34
2000, Giga Semconductor, Inc.
Preliminary
GS881E18/36T-11/11.5/100/80/66
Pipelined DCD Read Cycle Timing
Q1
A
Q3
A
Q2
D
Q2c
Q2
B
Q2
A
tKQ
tLZ
tOE
tOHZ
tOLZ
tKQX
tHZ
tKQX
CK
ADSP
ADSC
BW
G
GW
ADV
Burst Read
RD2
RD3
tKL
tH
tH
tS
tH
tH
tS tH
tS
tH
ADSC initiated read
Suspend Burst
E
1
masks ADSP
E
2
only sampled with ADSP or ADSC
Single Read
ADSP is blocked by E
1
inactive
A
0
–A
n
B
A
–B
D
E
1
tKH
tKC
tS
tH
tS
tS
tH
DQ
A
–DQ
D
tS
tS
RD1
Hi-Z
E
2
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PDF描述
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