參數(shù)資料
型號(hào)： GS881E18BT-150V
廠商： GSI TECHNOLOGY
元件分類： DRAM
英文描述： 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
中文描述： 512K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100
封裝： TQFP-100
文件頁數(shù)： 21/36頁
文件大?。?/td> 771K
代理商： GS881E18BT-150V
GS881E18/32/36B(T/D)-xxxV
Rev: 1.00 6/2006
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
21/36
2006, GSI Technology
Pipeline Mode Timing (DCD)
Begin
Read A
Cont
Deselect Deselect Write B
Read C
Read C+1Read C+2Read C+3Cont
Deselect Deselect
tHZ
tKQX
tKQ
tLZ
tH
tS
tOHZ
Q(A)
tOE
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tS
tH
tS
tH
tS
tH
tS
tKC
tKL
tKH
D(B)
Q(C)
Q(C+1)
Q(C+2)
Q(C+3)
A
B
C
Hi-Z
Deselected with E1
E2 and E3 only sampled with ADSC
ADSC initiated read
CK
ADSP
ADSC
ADV
Ao–An
GW
BW
Ba–Bd
E1
E2
E3
G
DQa–DQd
相關(guān)PDF資料
PDF描述
GS881E18BT-200IV 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
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GS881E18BT-250V 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
GS881E18T-V 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs
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