- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄384355 > GS881E18BGT-2300I (GSI TECHNOLOGY) 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS881E18BGT-2300I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | LEAD FREE, TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 11/40頁 |
| 文件大小： | 609K |
| 代理商： | GS881E18BGT-2300I |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁當前第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁
GS881E18B(T/D)/GS881E32B(T/D)/GS881E36B(T/D)
Rev: 1.04 3/2005
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
11/40
2002, GSI Technology
Mode Pin Functions
Note:
There is a pull-up device onthe FT pin and a pull-down device on the ZZ pin, so this input pin can be unconnected and the chip will operate in
the default states as specified in the above tables.
Burst Counter Sequences
BPR 1999.05.18
Mode Name
Pin Name
State
L
H
L
H or NC
L or NC
Function
Linear Burst
Interleaved Burst
Flow Through
Pipeline
Active
Standby, I
DD
= I
SB
High Drive (Low Impedance)
Low Drive (High Impedance)
Burst Order Control
LBO
Output Register Control
FT
Power Down Control
ZZ
H
FLXDrive Output Impedance Control
ZQ
L
H or NC
Note:
The burst counter wraps to initial state on the 5th clock.
Note:
The burst counter wraps to initial state on the 5th clock.
Linear Burst Sequence
A[1:0] A[1:0] A[1:0] A[1:0]
1st address
00
01
10
11
2nd address
01
10
11
00
3rd address
10
11
00
01
4th address
11
00
01
10
Interleaved Burst Sequence
A[1:0] A[1:0] A[1:0] A[1:0]
1st address
00
01
10
11
2nd address
01
00
11
10
3rd address
10
11
00
01
4th address
11
10
01
00
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E18BGT-250 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGT-250I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGT-300 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGT-333 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGT-333I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS881E18BGT-250 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGT-250I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGT-250IV | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGT-250V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGT-300 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。