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參數資料
| 型號： | GS881E18BGT-150I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, TQFP-100 |
| 文件頁數： | 5/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 609K |
| 代理商： | GS881E18BGT-150I |
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GS881E18B(T/D)/GS881E32B(T/D)/GS881E36B(T/D)
Rev: 1.04 3/2005
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
5/40
2002, GSI Technology
TQFP Pin Description
Symbol
A
0
, A
1
A
DQ
A
DQ
B
DQ
C
DQ
D
NC
BW
B
A
, B
B,
B
C
, B
D
NC
CK
GW
E
2
E
1
G
ADV
ADSP, ADSC
ZZ
LBO
V
DD
V
SS
V
DDQ
Type
I
I
Description
Address field LSBs and Address Counter preset Inputs
Address Inputs
I/O
Data Input and Output pins
—
I
I
—
I
I
I
I
I
I
I
I
I
No Connect
Byte Write
—
Writes all enabled bytes; active low
Byte Write Enable for DQ Data I/Os; active low
No Connect
Clock Input Signal; active high
Global Write Enable
—
Writes all bytes; active low
Chip Enable; active high
Chip Enable; active low
Output Enable; active low
Burst address counter advance enable; active low
Address Strobe (Processor, Cache Controller); active low
Sleep Mode control; active high
Linear Burst Order mode; active low
I
Core power supply
I
I/O and Core Ground
I
Output driver power supply
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E18BGT-200 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGT-200I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGT-2300I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
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| GS881E18BGT-250I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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