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參數(shù)資料
| 型號： | GS881E18BGD-250I |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| 中文描述： | 512K X 18 CACHE SRAM, 5.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, FPBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 4/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 609K |
| 代理商： | GS881E18BGD-250I |
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GS881E18B(T/D)/GS881E32B(T/D)/GS881E36B(T/D)
Rev: 1.04 3/2005
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
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2002, GSI Technology
GS881E36B 100-Pin TQFP Pinout (Package T)
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相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| GS881E18BGD-250V | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGD-300 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGD-300I | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BGD-333 | 制造商:GSI 制造商全稱:GSI Technology 功能描述:512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
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