- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄299162 > GS88136T-11.5IT (GSI TECHNOLOGY) 256K X 36 CACHE SRAM, 11.5 ns, PQFP100 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | GS88136T-11.5IT |
| 廠商： | GSI TECHNOLOGY |
| 元件分類： | SRAM |
| 英文描述： | 256K X 36 CACHE SRAM, 11.5 ns, PQFP100 |
| 封裝： | TQFP-100 |
| 文件頁數(shù)： | 9/33頁 |
| 文件大小： | 463K |
| 代理商： | GS88136T-11.5IT |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁當(dāng)前第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁
Rev: 1.11 9/2000
17/33
2000, Giga Semiconductor, Inc.
Specifications cited are subject to change without notice. For latest documentation see http://www.gsitechnology.com.
Preliminary
GS88118/36T-11/11.5/100/80/66
CK
ADSP
ADSC
ADV
GW
BW
WR2
WR3
WR1
WR2
WR3
tKC
Single Write
Burst Write
t
KL
t
KH
tS tH
tS
tH
tS tH
Write specified byte for 2
A and all bytes for 2B, 2C& 2D
ADV must be inactive for ADSP Write
ADSC initiated write
ADSP is blocked by E inactive
A0–An
BA–BD
DQA–DQD
Write
Deselected
WR1
WR2
WR3
Write Cycle Timing
E1
tS tH
E2 only sampled with ADSP or ADSC
E1 masks ADSP
Deselected with E2
G
tS tH
D2
A
D2
B
D2
C
D2
D
D3
A
D1
A
Hi-Z
tS tH
E2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| GS881E36BT-150T | 256K X 36 CACHE SRAM, 7.5 ns, PQFP100 |
| GS881E18BD-150 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BD-150I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BD-200 | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
| GS881E18BD-200I | 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| GS88136T-11I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| GS88136T-66 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| GS88136T-66I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| GS88136T-80 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
| GS88136T-80I | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x36 Fast Synchronous SRAM |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。